本发明专利技术公开了一种一次快烧透明微晶砖及其生产工艺，包括坯体；熔块釉，面釉，发色釉；所述熔块釉包括：SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO、KNaO、BaO、B2O3、ZnO、TiO2；所述面釉包括：SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO、KNaO、TiO2；所述发色釉包括：SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO、KNaO、TiO2。本发明专利技术还公开了一种一次快烧透明微晶砖的生产工艺，一次烧成得到一次快烧透明微晶砖，采用本发明专利技术生产的一次快烧透明微晶砖发色佳，排气好，平整度好，透明度高，并且成本低，周期短，有利于推广应用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种砖块及其生产工艺，尤其涉及的是一种一次快烧透明微晶砖及其生产工艺。
技术介绍
市场上的一次烧透明微晶砖的烧成周期一般为120分钟，现有技术生产一次烧透明微晶砖的工艺能源消耗大，产量小。由于利用现有的生产工艺生产一次烧透明微晶砖成本偏高，因此高成本的一次烧透明微晶砖难以普及使用。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种一次快烧透明微晶砖及其生产工艺，旨在解决现有技术中生产一次烧透明微晶砖的工艺能源消耗大，产量小，耗时长，成本高的技术问题。本专利技术的技术方案如下:一种一次快烧透明微晶砖，其中，包括: 还体，所述还体为微晶还; 熔块釉，所述熔块釉的成分按重量百分比计算包括=SiO2 58.01%-60%、Al2O3 16%_17%、Fe2O3 大于 O 且不大于 0.1%、CaO 7%_8%、MgO 2%-2.5%、KNaO 5%_6%、BaO 2%-2.5%、B2O33%-3.5 %、ZnO 2%-2.5%、TiO2 大于 O 且不大于 0.08% ； 面釉，所述面釉的成分按重量百分比计算包括=SiO2 71.22%-72%、Al2O3 18.22%_19%、Fe2O3大于O且不大于0.18%、CaO大于O且不大于1%、MgO大于O且不大于0.5%、KNaO7.22%-8%、TiO2 大于 O 且不大于 0.1% ； 发色釉，所述发色釉的成分按重量百分比计算包括:Si0266.5%-67.5%、Al2O3 20%_21%、Fe2O3大于O且不大于0.35%,CaO大于O且不大于l%、MgO大于O且不大于l%、KNaO 9%_10%、TiO2大于O且不大于0.2%。所述的一次快烧透明微晶砖的生产工艺，其中，包括以下步骤: A.制备熔块:按照熔块配方选取各种原料，在1500-1520°C高温下保温2.5小时，制得熔块，将熔块烘干制成干粒； B.制备面釉:按照面釉配方选取各种原料，放入球磨罐中球磨，得到面釉； C.制备发色釉:按照发色釉配方选取各种原料，放入球磨罐中球磨，得到发色釉； D.制备一次快烧透明微晶砖:采用喷釉方式将面釉喷淋到微晶坯上，待面釉干后进行印花，并在花上印一道发色釉，然后再在发色釉上均匀的布上干粒，喷上固定剂并烘干，最后把微晶坯放进辊道窑氧化气氛下烧成，得到一次快烧透明微晶砖。所述的一次快烧透明微晶砖的生产工艺，其中，所述步骤A中，干粒的目数为20-80 目。所述的一次快烧透明微晶砖的生产工艺，其中，所述步骤B中，所述球磨过程中面釉原料、球和水之间的重量比例为1:2:0.6。所述的一次快烧透明微晶砖的生产工艺，其中，所述步骤B中，面釉的比重为1.50-1.55g/cm3。所述的一次快烧透明微晶砖的生产工艺，其中，所述步骤C中，所述球磨过程中发色釉原料和印油之间的重量比例为1:1。所述的一次快烧透明微晶砖的生产工艺，其中，所述步骤D中，印花花网为80-100目通网。所述的一次快烧透明微晶砖的生产工艺，其中，所述步骤D中，烧成温度为1175-1220°C，烧成周期为60-70分钟。本专利技术的有益效果:本专利技术提供了一种次快烧透明微晶砖的组分及其生产工艺，所述一次快烧透明微晶砖发色佳，排气好，平整度好，透明度高，配合本专利技术提供的生产工艺生产，生产周期短，成本低，有利于推广应用。 附图说明图1是本专利技术中一次快烧透明微晶砖的生产工艺的流程图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。本专利技术公开了一种一次快烧透明微晶砖及其生产工艺，其中所述一次快烧透明微晶砖包括:坯体，为了使成品的一次快烧透明微晶砖的排气性能、平整度和透明度等性能较好，实际生产中，所述坯体为微晶坯，但本专利技术所述的一次快烧透明微晶砖同样可以采用市面上的全抛釉坯体； 熔块釉，所述熔块釉的成分按重量百分比计算包括=SiO2 58.01%-60%、Al2O3 16%_17%、Fe2O3 大于 O 且不大于 0.1%、CaO 7%_8%、MgO 2%-2.5%、KNaO 5%_6%、BaO 2%-2.5%、B2O33%-3.5 %、ZnO 2%-2.5%、TiO2 大于 O 且不大于 0.08% ； 面釉，所述面釉的成分按重量百分比计算包括=SiO2 71.22%-72%、Al2O3 18.22%_19%、Fe2O3大于O且不大于0.18%、CaO大于O且不大于1%、MgO大于O且不大于0.5%、KNaO7.22%-8%、TiO2 大于 O 且不大于 0.1% ； 发色釉，所述发色釉的成分按重量百分比计算包括:Si0266.5%-67.5%、Al2O3 20%_21%、Fe2O3大于O且不大于0.35%,CaO大于O且不大于l%、MgO大于O且不大于l%、KNaO 9%_10%、TiO2大于O且不大于0.2%。本专利技术还公开了一次快烧透明微晶砖的生产工艺，包括以下步骤: A.制备熔块:按照熔块配方选取各种原料，在1500-1520°C高温下保温2.5小时，制得熔块，将熔块烘干制成干粒； B.制备面釉:按照面釉配方选取各种原料，放入球磨罐中球磨，其中料:球:水(wt%)=1:2:0.6，得到面釉； C.制备发色釉:按照发色釉配方选取各种原料，放入球磨罐中球磨，其中料:印油(wt%)=l:1,得到发色釉； D.制备一次快烧透明微晶砖:采用喷釉方式将面釉喷淋到微晶坯上，待面釉干后进行印花，并在花上印一道发色釉，然后再在发色釉上均匀的布上干粒，喷上固定剂并烘干，最后把微晶坯放进辊道窑氧化气氛下烧成，得到一次快烧透明微晶砖。快烧透明微晶砖的技术难题在于排气，而排气分为三个阶段:烧结释放阶段，气泡上升移动阶段，气泡冲破表面阶段。在烧结阶段坯体表面张力要大，而粘度要小，干粒的半径要小，这样有利于干粒烧结使气体聚齐成气泡。当气泡形成以后，气泡要上升移动，这时需要釉层粘度小和表面张力小，这样气泡上移的过程受到的堵碍就小了，便于气泡上移。当气泡移到表面后存在压力会冲破釉层，因为釉层粘度小和表面张力小，气泡冲破釉层所需要做的功小，有利于气泡的排出，同时由于气泡冲破釉层后会留下釉坑，釉层表面张力小和粘度小有利于釉层回流重新填充釉坑，使釉面平整、透明度高。为了满足快速烧成透明微晶砖的要求，本专利技术采用烧结温度低，灼减量小，收缩小，游离石英含量低的坯体配方；本专利技术采用的坯料的热膨胀系数小，随温度的变化接近线性关系，有利于坯体的排气和釉层的排气。本专利技术所述的熔块的配方成始熔点高于面釉的使熔点，有利于底釉和干粒的充分反应；并且熔块高温时粘度小，表面张力小，排气效果好。实际生产中，干粒的目数不宜过小，干粒的目数过小导致熔块始熔点偏低，造成过早的把气体封在釉层不易排出；干粒的目数也不宜过大，颗粒过大则干粒间的空隙过大，容易造成大气泡出现，同时也会提高熔融温度。专利技术人反复试验后得出，所述步骤A中，干粒的目数为20-80目时效果最佳。本专利技术中的面釉化学活性强，有利于在生产一次快烧透明微晶砖的过程中物理化学反应能迅速进行；本专利技术中的面釉使熔温度高，有效防止一次快烧透明微晶砖在快速烧成时原料反应滞后，引起釉面产生针孔、气泡等缺陷；本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种一次快烧透明微晶砖，其特征在于，包括：坯体，所述坯体为微晶坯；熔块釉，所述熔块釉的成分按重量百分比计算包括：SiO2?58.01%?60%、Al2O3?16%?17%、Fe2O3?大于0且不大于0.1%、CaO?7%?8%、MgO?2%?2.5%、KNaO?5%?6%、BaO?2%?2.5%、B2O3?3%?3.5?%、ZnO?2%?2.5%、TiO2大于0且不大于0.08%；面釉，所述面釉的成分按重量百分比计算包括：SiO2?71.22%?72%、Al2O3?18.22%?19%、Fe2O3大于0且不大于0.18%、CaO大于0且不大于1%、MgO大于0且不大于0.5%、KNaO?7.22%?8%、TiO2大于0且不大于0.1%；发色釉，所述发色釉的成分按重量百分比计算包括：SiO266.5%?67.5%、Al2O3?20%?21%、Fe2O3大于0且不大于0.35%、CaO大于0且不大于1%、MgO大于0且不大于1%、KNaO?9%?10%、TiO2?大于0且不大于0.2%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何维恭，贺彦荣，吴家洪，
申请(专利权)人：佛山瑭虹釉料科技有限公司，广东伟邦微晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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