采用上游和下游流体分配装置的化学机械抛光方法和设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及到一种用来对晶片表面进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的装置，它包含抛光垫（４）、驱动单元（９）、加压装置（６）、晶片支持器（５）、第一分配装置（７）、以及第二分配装置（８）；用来支持晶片（Ｗ）的晶片支持器被安置在支持器位置（Ｌ０）处；加压装置（６）被安排来将晶片支持器（５）压向抛光垫（４）；用来将第一流体分配到抛光垫（４）上的第一分配装置（７），被安排在第一分配装置位置（Ｌ１）处；用来将第二流体分配到抛光垫（４）上的第二分配装置（８），被安排在第二分配装置位置（Ｌ２）处；抛光垫（４）包含用来抛光晶片（Ｗ）的抛光表面，且抛光垫（４）还被连接到用来沿第一方向（ω１）相对于支持器位置（Ｌ０）移动抛光表面的驱动单元（９）；其中的第一分配装置（７）的第一分配装置位置（Ｌ１）相对于支持器位置（Ｌ０）被安置在下游方向第一下游距离（ｄ１）处，其下游方向相对于第一方向（ω１）选取；而第二分配装置（８）的第二分配装置位置（Ｌ２）相对于支持器位置（Ｌ０）被安置在上游方向第一上游距离（ｄ３）处，其上游方向相对于第一方向（ω１）选取。本发明专利技术还涉及到采用这一装置的化学机械抛光方法。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及到权利要求1前序部分所述的装置和方法。在半导体工业中，镶嵌工艺被广泛地用作铜基互连的主流技术。如本
熟练人员所知，在镶嵌工艺中，首先，满铺金属(铜)层被淀积在图形化的介质层顶部，其对介质层中诸如沟槽和通孔之类的凹陷区域具有充分的覆盖。随后，用化学机械抛光(CMP)来从表面清除金属层，同时在凹陷区域留下金属，以便构成(部分)互连图形。金属层的常规CMP工艺使用基本上含有3种组分的悬浮液，此3种组分是研磨颗粒(例如SiO2和Al2O3)、腐蚀剂(例如酸)、以及钝化剂。钝化剂借助于生长钝化层而钝化金属的表面。研磨组分从金属机械地清除钝化层。腐蚀剂被用来腐蚀未被钝化的金属。在常规工艺中，此3种组分以混合物的形式被分配在抛光布上。不利的是，常规CMP工艺所用的悬浮液的稳定期比较短(亦即，各个化学组分随时间而分解)。从US 5478435可知用来在CMP设备中分配悬浮液的分配装置，此装置通过二个(在某些情况下是3个或更多个)分配管，将悬浮液各组分分配到抛光垫。借助于使悬浮液的各个组分在被用于抛光垫之前保持分开，US 5478435的分配装置缓解了悬浮液稳定性的问题。分配本文档来自技高网...

【技术保护点】
用来对晶片表面进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的装置，它包括抛光垫（４）、驱动单元（９）、加压装置（６）、晶片支持器（５）、第一分配装置（７）、以及第二分配装置（８）；用来支持晶片（Ｗ）的晶片支持器被安置在支持器位置（Ｌ０）处；加压装置（６）被设置成将晶片支持器（５）压向抛光垫（４）；用来将第一流体分配到抛光垫（４）上的第一分配装置（７）被安排在第一分配装置位置（Ｌ１）处；用来将第二流体分配到抛光垫（４）上的第二分配装置（８）被安排在第二分配装置位置（Ｌ２）处；抛光垫（ ４）包含用来抛光晶片（Ｗ）的抛光表面，且抛光垫（４）还被连接到用来沿第一方向（ω１）相对于支持器位置（Ｌ０）移动抛光...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：HV恩古芸，AJ霍夫，H范克拉宁伯格，PH维尔利，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]