化学机械抛光的方法技术

在用于微电子制造的化学机械抛光（ＣＭＰ）过程中，可以提出在晶片表面和抛光垫之间的三个接触方式：直接接触、混合或部分接触、以及液面滑动。但是，表征晶片／垫板接触的有效的现场用的方法和把接触状态与过程参数相联系的系统方法还很缺乏。在本工作中，利用由晶片支架上的载荷传感器测量的表面间摩擦力来表征接触状态。制定了把摩擦系数与作用压力、相对速度和浆液粘度相联系的模型，并且用实验作了验证。此外，建立了摩擦系数和材料去除率（ＭＲＲ）之间的关系，研究了过程参数对Ｐｒｅｓｔｏｎ常数的影响。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般性地涉及了半导体晶片或基片的化学机械抛光(CMP)领域。更具体地说，本专利技术涉及了半导体晶片或基片的化学机械抛光的一个方法。
技术介绍
对高性能微电子器件的日益增长的需求促进了半导体工业设计和制造具有更小特征尺寸、更高分辨率、更密集包装和多层互连的超大规模集成电路(ULSI)。ULSI技术对包括线路的多层(称为级间介质层，ILD)的整体平整程度提出了严格要求。与其他平整化的技术相比，化学机械抛光(CMP)过程在低成本下产生优良的局部和整体平整程度。因此在许多后端处理过程中被广泛采用来平整大多数为二氧化硅(SiO2)的级间介质层。除了达到整体的平整程度，CMP对许多正在出现的处理技术也很重要，如铜(Cu)的雾状花纹、低k介质以及浅槽隔离结构的抛光(Landis等，1992；Peters，1998)。但是，同时和连续地抛光范围广泛的材料增加了CMP过程的复杂性，需要理解过程的基本原理来优化过程设计和控制。尽管在ULSI制造中得到广泛应用，但CMP的基本材料去除机理还未得到很好了解。很久以前，Preston根据经验发现了在玻璃抛光中材料的去除率(MRR)正比于作用压力和相本文档来自技高网...

【技术保护点】
用抛光垫来化学机械抛光晶片表面的一个方法，包括以下步骤：以相对速度ｖ↓［Ｒ］转动抛光垫和晶片中任何一个或两个；在作用压力ｐ下推压晶片和垫板相互靠紧，其中ｐ和ｖ↓［Ｒ］值使得垫板和晶片之间的界面处于接触模式。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：南那次坂，赖俊宇，伊拉里奥L奥，
申请(专利权)人：ASML美国公司，麻省理工学院，
类型：发明
国别省市：US[美国]