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在用于微电子制造的化学机械抛光（ＣＭＰ）过程中，可以提出在晶片表面和抛光垫之间的三个接触方式：直接接触、混合或部分接触、以及液面滑动。但是，表征晶片／垫板接触的有效的现场用的方法和把接触状态与过程参数相联系的系统方法还很缺乏。在本工作中，利...
该专利属于ASML美国公司;麻省理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过ASML美国公司;麻省理工学院授权不得商用。

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