一种晶体生长炉的保温罩结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及晶体生长领域，公开了一种晶体生长炉的保温罩结构，包括保温罩内壁，所述保温罩内壁为网格状结构，并在其表面喷有一层致密的陶瓷薄层。本发明专利技术采用高温等离子体喷镀方法在保温罩内壁表面喷上一层与保温罩内壁材料相同的致密陶瓷薄层，并对该陶瓷薄层进行机械打磨。在保温罩内壁喷涂一层致密陶瓷薄层，以使其内壁表面致密光滑，不易附着异物，且容易清洗，最终减少对晶体纯度的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长领域，尤其涉及。
技术介绍
晶体作为固体激光器的核心元件，其光学均匀性决定固体激光器品质的优劣。目前高温晶体生长炉中多采用普通刚玉陶瓷等作为保温层，其材质较疏松，表面粗糙，易附着固体颗粒，且不易清洗，最终将影响晶体的纯度，对晶体生长很不利。
技术实现思路
为克服上述问题，本专利技术提出，在保温罩内壁喷涂一层致密陶瓷薄层，以使其内壁表面致密光滑，不易附着异物，且容易清洗。为达到上述目的，本专利技术所提出的技术方案为:一种晶体生长炉的保温罩结构，包括保温罩内壁，所述保温罩内壁为网格状结构，并在其表面喷有一层致密的陶瓷薄层。一种晶体生长炉的保温罩结构制作方法，包括如下步骤:a.制作网格状保温罩内壁；b.采用高温等离子体喷镀方法在保温罩内壁表面喷上一层与保温罩内壁材料相同的致密陶瓷薄层；c.对陶瓷薄层进行机械打磨。进一步的，所述陶瓷薄层与保温罩内壁采用相同的材料，为氧化铝或氧化锆。 本专利技术的有益效果:本专利技术的一种晶体生长炉的保温罩结构，在保温罩内壁喷涂一层致密陶瓷薄层，以使其内壁表面致密光滑，不易附着异物，且容易清洗，最终减少对晶体纯度的影响。附图说明图1为本专利技术的保温罩内壁主视 图2为本专利技术的保温罩内壁结构剖视图。标号说明:1保温罩内壁；2陶瓷薄层。具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式，对本专利技术做进一步说明。如图1所示，为本专利技术的一种晶体生长炉的保温罩内壁结构，在保温罩内壁I表面喷有一层致密的陶瓷薄层2，该致密的陶瓷薄层2与保温罩内壁I采用相同的材料。为防止喷镀的陶瓷薄层2受热不均可能导致的碎裂，本专利技术的保温罩内壁I设置成网格状，使陶瓷薄层2可自然裂开，使其开裂在受控范围，避免了因受热不均碎裂而产生碎屑。该陶瓷薄层2采用与保温罩内壁I相同的材料，优选的，可为氧化铝或者氧化锆。制作上述晶体生长炉的保温罩结构的方法，包括如下步骤:a.制作网格状保温罩内壁1，以防止喷镀的陶瓷薄层2因受热不均而碎裂；b.采用高温等离子体喷镀方法在保温罩内壁I表面喷上一层与保温罩I内壁材料相同的致密陶瓷薄层2 ；c.对陶瓷薄层2进行机械打磨，使其表面光滑度更高。该陶瓷薄层2和保温罩内壁I材料可选用氧化铝或者氧化锆。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本专利技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本专利技术的精神和范围内，在形式上和细节上对本专利技术做出的各种变化，均 为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体生长炉的保温罩结构，包括保温罩内壁，其特征在于：所述保温罩内壁为网格状结构，并在其表面喷有一层致密的陶瓷薄层。

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉的保温罩结构，包括保温罩内壁，其特征在于:所述保温罩内壁为网格状结构，并在其表面喷有一层致密的陶瓷薄层。2.如权利要求1所述的一种晶体生长炉的保温罩结构，其特征在于:所述陶瓷薄层与保温罩内壁采用相同的材料，所述材料为氧化铝或氧化锆。3.一种晶体生长炉的保温罩结构制...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴砺，卢秀爱，陈燕平，陈卫民，凌吉武，
申请(专利权)人：福州高意光学有限公司，
类型：发明
国别省市：