【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜材料的制备方法,特别是涉及一种InP薄膜材料的制备方法。
技术介绍
磷化铟(InP)是由III A族元素In和V A族元素P化合而成的半导体材料。分子式为InP。室温下其禁带宽度为1.35eV,与InP—样同属直接跃迁型能带结构。磷化铟(InP)为浙青光泽的深灰色晶体,熔点1070°C,闪锌矿结构,常温下带宽(Eg)为1.35eV。磷化铟(InP)熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V.s)。空穴迁移率150cm2/(V.s)。具有半导体的特性。最早由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。磷化铟用作半导体材料,用于光纤通信技术。半导体技术的商业化生产历史可以看着是一系列工艺技术不断改进和更新发展的历史。第一个商业化晶体管是用锗(Ge)制造的,但在20世纪60年代早期,硅(Si )器件很快就在性能和价位上超过了它。硅半导体之所以现在能确立在半导体工业中的统治地位,部分要归功于工艺技术的不断开发,使得硅器件在集成功能性和价位上具有很强的竞争能力。第三种商业化半导体技术出现于20世纪80年代后期,它来自于化合物材料领域-砷化镓(InP),但由于砷化镓制备的复杂性和难度,人们仍在寻找一种能够替代砷化镓的化合物半导体技术,用于高性能、大批量商业应用中。现在一种新的化合物半导体器件已经开始出现,这就是磷化铟(InP)及其衍生材料,它们形成半导体材料发展的第四次浪潮。磷化铟半导体在光纤制造、毫米波甚至在无线应用方面都明显的显示出了使人信服的优于砷化镓的性能优点。我们相信这些优点将使磷化铟与其他材料 ...
【技术保护点】
一种制备InP薄膜材料的方法,其特征在于:以In2O3,P2O5以及还原萃取剂为原料,加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇,研磨均匀后,用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材,然后将其放置于反应器刚玉坩埚中,用高纯氮气抽真空,置换到氧气浓度为ppm级,然后再用混合气体抽真空置换1~2次,抽真空至7~13Pa,控制升温速度在5~10℃/min范围内,反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内,恒温3~4h,其间保持真空度不小于?0.08MPa;当反应区温度达到预定温度后,自然降温至室温,充入混合气体至常压后,即得到灰黑色的InP薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种制备InP薄膜材料的方法,其特征在于:以In2O3, P2O5以及还原萃取剂为原料,加入与固体原料质量50°/Γ 00%相当的无水乙醇,研磨均匀后,用l(Tl5MPa的压力将其压成厚度为f IOmm的片材,然后将其放置于反应器刚玉坩埚中,用高纯氮气抽真空,置换到氧气浓度为PPm级,然后再用混合气体抽真空置换f 2次,抽真空至7 13Pa,控制升温速度在5 10°C /min范围内,反应区加热升温至1200°C 1250°C范围内,沉积区加热升温至6000C 800°C范围内,恒温:T4h,其间保持真空度不小于-0.08MPa ;当反...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘兴泉,张铭菊,
申请(专利权)人:常州星海电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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