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一种直插式大功率LED制造技术

技术编号:8823776 阅读:143 留言:0更新日期:2013-06-14 18:35
本实用新型专利技术是一种直插式大功率LED,包括两个电极,分别与电极电连接的LED晶片,以及将LED晶片与电极顶端包覆在内的封装层,其特征在于:所述LED晶片为大功率LED晶片,该LED晶片被固定于一个散热柱顶端,所述散热柱的顶端被包覆在封装层内,并且其底面位于封装层之外,所述散热柱的底端也可伸出封装层,在所述散热柱的顶端带有一个碗杯状的凹坑,所述LED晶片位于此凹坑内,且在此凹坑内填充有荧光粉,所述荧光粉覆盖在LED晶片上。本实用新型专利技术采用直插式的LED结构封装大功率LED晶片,加配合散热柱对晶片散热,既沿袭了普通LED的应用方式,也提高了亮度,满足了指示或警示的亮度要求。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电领域,特别是一种直插式大功率LED
技术介绍
现有的直插式LED内封装的一般都是小功率的LED晶片,因此它的亮度较差,只能应用于起到指示或警示作用的地方,由于此类LED的亮度底,其发出的光线经常性地被人们忽视而不能引起注意,这样就失去了它的指示或警示作用,而不能起到应有的效果。另夕卜,现有的大功率LED由于它的散热要求,一般都被设计成贴片式的结构,不能适用于应用直插式LED的电路板上,所以大功率LED在上述的情状下不能解决直插式LED亮度低的实际问题。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题,提供一种直插式大功率LED,它完全能适用于应用直插式LED的电路板,而且其亮度也足够高,散热问题也能得到较好的解决。为了达到上述目的,本专利技术所采用的技术方案是:一种直插式大功率LED,包括两个电极,分别与电极电连接的LED晶片,以及将LED晶片与电极顶端包覆在内的封装层,其特征在于:所述LED晶片为大功率LED晶片,该LED晶片被固定于一个散热柱顶端,所述散热柱的顶端被包覆在封装层内,并且其底面位于封装层之外,所述散热柱的底端也可伸出封装层,在所述散热柱的顶端带有一个碗杯状的凹坑,所述LED晶片位于此凹坑内,且在此凹坑内填充有荧光粉,所述荧光粉覆盖在LED晶片上。与普通直插式LED相比,本专利技术采用大功率LED,其亮度高,能引起人们足够的注意,而能起到警示作用,甚至还能起到照明的作用;另外,它与贴片式大功率LED相比,它采用直插式的电极支架,可以完全适应于直插式LED所应用的电路板连接方式,而且采用散热柱为LED晶片散热,其散热问题也得到较好地解决。附图说明图1为本专利技术的剖示图;图2为本专利技术的另一剖示图。具体实施方式本专利技术是一种直插式大功率LED,它包括两个电极1、散热柱2、晶片3、金线4及封装层5,如图1所示。晶片3通过导热硅脂粘贴固定在散热柱2的顶端,晶片3与电极I按极性通过金线4电连接,封装层5将电极I顶部、金线4、散热柱2及晶片3都封装在内部,散热柱2为导热性能良好的材料,比如铜柱,散热柱2的底面露在封装层5外,其底面与封装层5的底面平齐,如图1所示;散热柱2的底部也可以伸出封装层5底部,完全露在封装层5外,如图2所示。在散热柱2的顶部有一个碗杯状的凹坑,晶片3被固定在这个凹坑内,在凹坑内还填充有荧光粉,荧光粉完全覆盖晶片3。本专利技术采用直插式的LED结构封装大功率LED晶片,加配合散热柱对晶片散热,既沿袭了普通LED的应用方式,也提高了亮度,满足了指示或警示的亮度要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直插式大功率LED,包括两个电极,分别与电极电连接的LED晶片,以及将LED晶片与电极顶端包覆在内的封装层,其特征在于:所述LED晶片为大功率LED晶片,该LED晶片被固定于一个散热柱的顶端,所述散热柱的顶端被包覆在封装层内,并且其底面位于封装层之外。

【技术特征摘要】
1.一种直插式大功率LED,包括两个电极,分别与电极电连接的LED晶片,以及将LED晶片与电极顶端包覆在内的封装层, 其特征在于:所述LED晶片为大功率LED晶片,该LED晶片被固定于一个散热柱的顶端,所述散热柱的顶端被包覆在封装层内,并且其底面位...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟细环
申请(专利权)人:钟细环
类型:实用新型
国别省市:

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