用来减少浆液回流的化学机械抛光法制造技术

在存在浆液（１１６）之类的抛光介质的情况下使用抛光层（１０８，２０８）抛光制品（例如晶片（１１２，２１２））表面（１２０）的方法。该方法包括对制品的转速或抛光层的速度或这二者进行选择，以控制去除速率均匀性或抛光表面缺陷的产生，或此二者。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术一般涉及化学机械抛光领域。更具体来说，本专利技术涉及用来减少浆液回流的化学机械抛光法。在集成电路和其他电子器件的制造过程中，将多层导电材料、半导体材料和介电材料沉积到半导体晶片表面上，然后又在半导体晶片表面上进行蚀刻。可以使用许多种沉积技术来沉积导电材料、半导体材料和介电材料薄层。现代晶片加工中的常规沉积技术包括物理蒸气沉积(PVD)(也被称为溅射)、化学蒸气沉积(CVD)、等离子体辅助的化学蒸气沉积(PECVD)和电化学镀等。常规蚀刻技术包括湿法和干法的各向同性和各向异性蚀刻等。随着各材料层按照顺序被沉积和蚀刻，晶片的顶层表面变得不平坦。由于随后的半导体加工(例如光刻)要求该晶片具有平坦表面，所以需要对晶片进行平面化。平面化适合于除去不希望有的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面、成团材料、晶格损坏、划痕和被污染的层或材料。化学机械平面化，即化学机械抛光(CMP)，是用来使半导体晶片等工件平面化的常用技术。在使用双轴旋转抛光机的常规CMP中，将晶片载体即抛光头安装在载体组合件上。抛光头固定晶片，使晶片与CMP抛光机中抛光垫的抛光层接触。抛光垫的直径大于需要进行平面化的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用抛光层和抛光介质抛光制品表面的方法，该方法包括以下步骤：（ａ）提供抛光介质，使抛光介质处于制品表面和抛光层之间；（ｂ）旋转该制品，使其表面绕第一旋转轴以第一转速旋转；（ｃ）使抛光层以一定速度相对于第一旋转轴移动；（ｄ）选择第一转速和抛光层速度中的至少一种，使得当表面以第一转速旋转、抛光层以所述速度移动时，所述表面和抛光层之间的抛光介质中不会发生回混。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：TT克韦纳克，JJ亨道恩，GP马尔多尼，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]