【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及衬底的化学机械抛光，并且更具体地涉及用在化学机械抛光中的保持环。
技术介绍
通常通过在硅衬底上顺序地沉积导电层、半导体层或绝缘层而在衬底上形成集成电路。一个制造步骤包括在非平面表面上沉积填充层，并平坦化填充层直到暴露非平面表面。例如，导电填充层可以沉积在图案化绝缘层上以填充绝缘层中的沟槽或孔。然后抛光填充层直到暴露绝缘层的凸起的图案。在平坦化之后，保留在绝缘层的凸起图案之间的导电层的部分形成过孔、插塞和线路，它们提供了衬底上的薄膜电路之间的导电路径。此外，需要平坦化以平坦化衬底表面用于光刻。化学机械抛光(CMP)是平坦化的一种可接受的方法。这种平坦化方法通常需要衬底安装在CMP设备的载具头或抛光头上。衬底的暴露的表面靠近旋转的抛光盘状垫或带状垫放置。抛光垫可以是“标准”垫或固定的研磨垫。标准垫具有耐用的粗糙表面，而固定的研磨垫具有保持在容纳介质中的研磨颗粒。载具头在衬底上提供可控的载荷，以将其推靠在抛光垫上。包含至少一种化学活性剂的抛光浆液和研磨颗粒(如果使用标准垫)，供应到抛光垫的表面。
技术实现思路
在一个方面中，本专利技术涉及保持环。保持...
【技术保护点】
一种保持环，包括：大致环形的体，其具有顶表面、底表面、内径表面和外径表面，其中所述底表面包括多个沟道，每个沟道从所述内径表面延伸到所述外径表面并具有圆形顶。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：宏沁陈，史蒂文M祖尼格，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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