【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于将半导体晶片压紧在化学机械抛光装置中的固定环。技术背景通过在晶片上依次沉积导电层、半导电层和绝缘层，可在半导体基片，特 别是在硅晶片上形成集成电路。在沉积各层后，可在上面蚀刻电路形状。在沉 积并蚀刻一系列层后，所述基片的最上层表面可能变得成更加不平非平面。不 平非平面的表面可能在集成电路制造过程的光刻工序中产生问题。因此，必须 定期磨平半导体基片表面。镶嵌是用隔离电介质形成互连金属线的一种工艺。在镶嵌工艺中，首先通 过平版印刷术在电介质层中形成互连图样，然后沉积金属，以填充所形成的开 槽。多余金属可通过化学-机械抛光(磨平)去除。化学-机械抛光(CMP)， 也称作化学-机械磨平，是指为使表面平面化和使金属互连图样更清晰，通过 化学-机械抛光而进行的去除固体层的一种方法。镶嵌工艺以CMP工艺替代金 属蚀刻形成金属互连图形，而双镶嵌工艺则是镶嵌工艺的一种改进形式。在双 镶嵌工艺中，两个隔层电介质图样形成步骤和一个CMP歩骤形成图样，而采 用常规镶嵌工艺，形成这样的图样需要两个图样形成步骤和两个金属CMP步 骤。在典型的CMP操作中，用容纳有...
【技术保护点】
一种用于化学－机械抛光操作的固定环，其特征在于，它包括： 环形主干部，它具有一个或多个环形的在轴向凸出的主干部凸缘、和形成在所述主干部凸缘之间的沟槽，所述主干部包括刚性聚合物材料；和 耐磨聚合物基部，它具有平的底表面、一个或多个环形的在轴向凸出的基部凸缘、形成于所述基部凸缘之间的沟槽以及在所述固定环的内缘和外缘之间延伸的所述底表面中的多个凹槽，所述凹槽适合促进在抛光操作期间浆液的传递； 其中，所述主干部和所述基部是通过包覆成型工艺连接在一起的，从而使得所述主干部凸缘与所述基部沟槽紧密配合，并且所述基部凸缘与所述主干部沟槽紧密配合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰伯恩斯，马克V史密斯，马丁L福布斯，杰夫里J金，马太A富勒，
申请(专利权)人：安格斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。