【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种流体流速稳定装置 及研磨液供给装置。
技术介绍
随着超大规模集成电路ULSI(Ultra Large Scale Integration)的飞速发 展，集成电路制造工艺的复杂性及精细性日益提高，对晶片表面的平整 度要求也越来越严格，常需要在生产过程中对衬底表面进行平坦化处理。 目前，最普遍的平坦化方法为化学机械研磨法(CMP, Chemical Mechanical Polishing),尤其在半导体制作工艺进入亚微米(sub-micron)领域后，其 已成为一项不可或缺的半导体制作工艺技术。图l为说明化学机械研磨工作原理的示意图，如图1所示，化学机械 研磨时，通过转动的研磨头101将衬底102以一定的压力压置于旋转的转 盘上104的研磨垫103上，混有极小磨粒的研磨液105通过研磨液输送管 106滴落于研磨垫103上，并在研磨垫103的传输和旋转离心力的作用下， 均匀分布于其上，在村底102和研磨垫103之间形成一层流体薄膜，流体 中的化学成分与晶片产生化学反应，将不溶物质转化为易溶物质，然后 通过磨粒的微机械摩擦...
【技术保护点】
一种流体流速稳定装置，其特征在于：包括缓冲体和壳体，所述缓冲体顶部具有流体入口，所述壳体底部具有流体出口，所述壳体内具有调整体，所述调整体包括上端固定的弹性连接部件，以及与弹性连接部件的下端相连的阀塞，且所述弹性部件以及阀塞与所述壳体之间均具有间隙，所述流体通过流体入口流入所述缓冲体内，再流入调整体及壳体内，并从所述壳体底部的流体出口流出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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