高强度高伸长率的金合金接合线制造技术

本发明专利技术的目的是对于由Au合金线构成的接合线得到伸长率和断裂强度的最佳组合。将0.5-30质量％的Cu、Ag、Pd和Pt中的至少一种元素加入至高纯Au，在拉丝中伸长率变化的平缓区域出现在450-650℃的热处理温度的范围内。虽然线的断裂强度在该温度范围内下降，但线的强度仍保持在与高纯Au合金线的标准的4％的伸长率的热处理温度相对应的强度以上的强度。因此，通过该平缓范围内的热处理，得到了与温度变化无关地具有一定以上强度的合金线。而且，通过选择适当的温度范围，对于上述伸长率得到了具有不同强度的金属线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适用于在用于半导体装置的IC芯片的电极与基板的外部引线等之间连接的Au合金接合线。尤其是，所述Au合金接合线用于高温条件，如用于车载装置和高速>J-U ρ α装直。
技术介绍
传统上，广泛应用了纯度为99.99质量％以上的Au线。这种Au线是向高纯Au中加入微量的其它金属元素，并且它在作为连接半导体装置的IC芯片电极与外部引线的Au线上的可靠性是出色的。这些纯Au线的一端通过采用超声波热压键合方法键合至IC芯片电极上的纯Al焊点和Al合金焊点，这些Au线的另一端键合至基板上的外部引线，之后通过树脂密封方法成为半导体装置。通常这些Al合金焊点通过真空蒸镀等形成，并且通常是Al-Cu合金、Al-Si合金和Al-S1-Cu合金等。然而，当树脂密封的半导体装置用于在高温苛刻条件下的高可靠性要求的车载IC时，以及运行温度变高的高频IC等时，会产生被称为柯肯德尔(Kirkendall)的空隙、裂纹，或者由密封树脂中的卤素成分引起的腐蚀，所以它可能导致Al焊点、Al合金焊点与纯Au线之间的键合界面处的电阻增加和键合强度降低。因此，对于保证高键合可靠性(在一定环境下保持球焊键合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于半导体装置的接合线，其中:所述接合线由0.5-30质量％的Cu、Ag、Pd和Pt中的至少一种元素以及余量的Au组成， 将所述接合线在伴随热处理温度升高的伸长率增加变得平缓的450-650°C的范围内热处理。2.一种用于半导体装置的接合线，其中:所述接合线由总计为0.5-30质量％的Cu、Ag、Pd和Pt中的至少一种元素以及余量的Au组成，将所述接合线在伴随热处理温度升高的伸长率增加变得平缓的450-650°C的范围内进行热处理。3.权利要求1或权利要求2所述的用于半导体装置的接合线，其中:所述接合线由0.5-30质量％的Cu、Ag、Pd和Pt中的至少一种元素和余量的Au组成，并且在伴随热处...

【专利技术属性】
技术研发人员：三上道孝，
申请(专利权)人：田中电子工业株式会社，
类型：
国别省市：