【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于形成太阳能电池的接触材料及该接触材料的制造方法。
技术介绍
随着对能源的需求增加,正在积极研制将太阳能转换为电能的太阳能电池。在这些太阳能电池中,在商业上广泛地使用利用硅晶片的太阳能电池。具体地,硅晶片包括PN结,其中,N+层和P层附接到彼此并且背面场(BSF)层是P+层。这里,BSF层可以减小与后接触部的接触电阻以提高太阳能电池的特性。因此,当BSF层厚度增加时,可以提高太阳能电池的性能。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供一种增加BSF层的厚度以提高效率的太阳能电池。技术方案在一个实施例中,一种用于接触部的衆料包括:A1粉末、玻璃熔块、无机黏合剂和含有I族元素的P型氧化物。在另一实施例中,一种太阳能电池包括:位于半导体衬底的一个表面上的前接触部;位于所述半导体衬底的另一表面上的背面场(BSF)层;以及位于所述BSF层上的后接触部,其中,所述BSF层或所述 后接触部包括含有I族元素的P型氧化物。在另一实施例中,一种太阳能电池的制造方法包括:在半导体衬底的另一表面上形成用于接触部的浆料,所述浆料包括含有I族元素的P型氧化物;在所述半导体衬底的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:金相坤,李仁宰,金顺吉,朴镇庆,
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司,
类型:
国别省市:
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