电子层结构排版方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电子层结构排版方法，包括：提供界面以接受用户输入元素名称；在预先创建的基本库中查找具有元素名称的元素记录；在编辑版面中，以元素记录的各个属性绘制元素的电子层结构。本发明专利技术提供了一种电子层结构排版装置，包括：界面模块，用于提供界面以接受用户输入元素名称；查找模块，用于在预先创建的基本库中查找具有元素名称的元素记录；绘制模块，用于在编辑版面中，以元素记录的各个属性绘制元素的电子层结构。本发明专利技术提高了化学排版的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学排版领域，具体而言，涉及一种电子层结构排版方法和装置。
技术介绍
在化学排版中，电子层结构排版很重要。然而，目前的化学排版软件都不支持这种电子层结构排版。因此，用户多采用画图的形式预先将电子层结构画好，然后再以插入图片的方式将电子层结构插入到排版软件中。但是这种实现方式会经常使排版人员在两个软件间不停的切换，导致操作不方便的问题。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种电子层结构排版方法和装置，以解决电子层结构排版的问题。在本专利技术的实施例中，提供了一种电子层结构排版方法，包括:提供界面以接受用户输入元素名称；在预先创建的基本库中查找具有元素名称的元素记录；在编辑版面中，以元素记录的各个属性绘制元素的电子层结构。在本专利技术的实施例中，提供了一种电子层结构排版装置，包括:界面模块，用于提供界面以接受用户输入元素名称；查找模块，用于在预先创建的基本库中查找具有元素名称的元素记录；绘制模块，用于在编辑版面中，以元素记录的各个属性绘制元素的电子层结构。本专利技术上述实施例的电子层结构排版方法和装置根据元素属性自动绘制元素的电子层结构，所以克服了现有技术电子层结构排版操作比较繁琐的问题，提高了化学排版的效率。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1示出了根据本专利技术实施例的电子层结构排版方法的流程图2示出了根据本专利技术一个实施例的界面的屏幕截图3示出了根据本专利技术另一实施例的界面的屏幕截图4示出了根据本专利技术实施例的接受用户设置属性的界面的屏幕截图5示出了根据本专利技术优选实施例的电子层结构排版方法的流程图6示出了根据本专利技术实施例的电子层结构排版装置的示意图。具体实施方式下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本专利技术。图1示出了根据本专利技术实施例的电子层结构排版方法的流程图，包括:步骤S10，提供界面以接受用户输入元素名称；步骤S20，在预先创建的基本库中查找具有元素名称的元素记录；步骤S30，在编辑版面中，以元素记录的各个属性绘制元素的电子层结构。其中，基本库由多条元素记录构成，元素记录具有各个属性，由编辑软件根据所述各个属性绘制电子层结构。现有技术中，要求用户绘制电子层结构的图片，然后插入到编辑版面中；而本方法中，用户只需输入元素名称，由编辑软件自动地根据该元素在基本库中记录的各种属性来绘制元素的电子层结构。因此，本方法克服了现有技术电子层结构排版操作比较繁琐的问题，显著地提高了化学排版的效率。另外，由于是通过编辑软件来绘制电子层结构，所以还可以使电子层结构的编辑风格与编辑软件编辑的化学排版其他内容的编辑风格保持一致。另外，人工地绘制电子层结构容易发生差错。而采用编辑软件自动绘制电子层结构，只需要预先制订了正确的规则，就能避免发生各种差错。优选地，各个属性包括以下至少一项:风格，用于指定电子层的形状，可选值包括扇形和圆形；线宽，用于指定绘制的线宽；间距，用于指定各个电子层之间的间距；张角，用于指定当电子层的风格为扇形时，该扇形的张角；方向，用于指定当电子层的风格为扇形时，该扇形的方向；字体，用于指定电子层中文字的字体；字号，用于指定电子层中文字的字号。在绘制电子层结构时，通常关注的排版要素包括风格、线宽、间距、张角、方向、字体和字号等。本优选实施例中，在元素记录中设置以上属性，从而可以利用这些设置的属性规定上述排版要素，得到用户期望的排版效果。优选地，风格的缺省值为扇形，线宽的缺省值为0.3pt，间距的缺省值为100%，张角的缺省值为60度，方向的缺省值为O度，字体的缺省值为Times New Roman，字号的缺省值为10.6pt。专利技术人根据长期的实践，总结出上述数值是用户排版电子层结构时最常采用的树脂，因此将这些数值设置为缺省值，可以进一步减轻用户的操作负担。优选地，各个属性包括:数值，用于指定各个电子层的电子数量，可选值包括标准和自定义；当数值为标准时，允许设置价态，价态缺省值为O ;当数值为自定义时，允许用户设置各电子层的电子数量。优选地，步骤S30包括:当数值为标准时，根据化学规则绘制各个电子层的电子数量；当数值为自定义时，根据用户设置的各电子层的电子数量绘制各个电子层的电子数量。在本优选实施例中，进一步允许用户更改各个电子层的电子数量，从而可以更好地满足用户的排版需求。图2示出了根据本专利技术一个实施例的界面的屏幕截图；图3示出了根据本专利技术另一实施例的界面的屏幕截图；图4示出了根据本专利技术实施例的接受用户设置属性的界面的屏幕截图。图2所示是数值为标准时的界面，用户只需输入化学元素的质子数，外层电子总数以及排列顺序将由程序自动排出，这是一种符合化学规则的排版形式。图3所示是数值为自定义时的界面，在这种格式下，用户可以自定义外层电子总数以及外层电子每一层的排列数量。在图2-图4中，在界面中呈现各个属性的缺省值，但允许用户进行修改，在界面中接受用户对属性进行赋值。如图2-图4所示，在界面中提供预览窗口，在预览窗口中，以元素记录的各个属性绘制元素的电子层结构。每当用户修改界面上的属性值时，程序将修改后的结果预览显示在此界面上，这样用户就可以预先确定编辑软件将绘制的电子层结构的排版效果。图5示出了根据本专利技术优选实施例的电子层结构排版方法的流程图，包括:步骤S502，预先构建所有化学元素的基本库，对于任意一个化学元素，用以下结构表不: Struct ChemElement { UINT ProtonNum; //必有属性，元素的质子数，标准和自定义形式都要用到。std::vector<int> CusElectronCountArr; //自定义形式电子层数组，保存电子层数以及每层的电子数。int ElementValenceOxidation; //元素化合价，可选属性。 float LineWidth;//绘制是的线宽，可选属性。 float CircleDensity;//绘制电子层时每层之间的间距，可选属性。 float OpenAngle;//绘制的电子层张开角度，可选属性。 float OpenDirection; //绘制的电子层张角的方向，可选属性。std::wstring Font;//绘制是使用的字体，可选属性。float FontSize;//绘制时使用的字号，可选属性。}用钠原 子举例:程序启动时,为钠原子赋初值，ProtonNum = 11 ；CusElectronCountArr.push_back(2)；CusElectronCountArr.push_back(8)；CusElectronCountArr.push_back(I)；ElementValenceOxidation = 0 ；Lineffidth = 0.3 ；CircleDensity = 100% ；OpenAngle = 60 ；OpenDirection = 0 ；Font = L” 微软雅黑”FontSize = 10.5 ；对所有的化学元素都做了以上的赋值处理之后，将所有的结构保存，这就是化学元素的基本库。用户在化学排版过程中，当需要排入电子层结构时，弹出如图2的界面。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子层结构排版方法，其特征在于，包括：提供界面以接受用户输入元素名称；在预先创建的基本库中查找具有所述元素名称的元素记录；在编辑版面中，以所述元素记录的各个属性绘制所述元素的电子层结构。

【技术特征摘要】
1.一种电子层结构排版方法,其特征在于,包括: 提供界面以接受用户输入元素名称； 在预先创建的基本库中查找具有所述元素名称的元素记录； 在编辑版面中，以所述元素记录的各个属性绘制所述元素的电子层结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各个属性包括以下至少一项: 风格，用于指定电子层的形状，可选值包括扇形和圆形； 线宽，用于指定绘制的线宽； 间距，用于指定各个电子层之间的间距； 张角，用于指定当电子层的风格为扇形时，所述扇形的张角； 方向，用于指定当电子层的风格为扇形时，所述扇形的方向； 字体，用于指定电子层中文字的字体； 字号，用于指定电子层中文字的字号。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述风格的缺省值为扇形，所述线宽的缺省值为0.3pt，所述间距的缺省值为100%，所述张角的缺省值为60度，所述方向的缺省值为O度,所述字体的缺省值为Times New Roman,所述字号的缺省值为10.6pt。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各个属性包括: 数值，用于指定各个电子层的电子数量，可选值包括标准和自定义； 当所述数值为标准时，允许设置价态，价态缺省值为O ; 当所述数值为自定义时，允许用户设置各电子层的电子数量。5.根据权利要求 4所述的方法，其特征在于，以所述元素...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢国超，赵志刚，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，北京北大方正电子有限公司，
类型：发明
国别省市：