存储元件和存储设备制造技术

本发明专利技术公开了存储元件和存储设备。提供了一种具有分层结构的存储元件，包括具有与其磁化方向对应于信息发生改变的薄膜面相垂直的磁化的存储层，并包括Co-Fe-B磁层和至少一个非磁层；其中通过使电流以分层结构的层压方向流动来改变存储层的磁化方向，以便将信息记录到存储层中，具有与成为存储在存储层的信息的基础的薄膜面相垂直的磁化的磁化固定层，和由非磁性材料形成的位于存储层和磁化固定层之间的中间层，还包括氧化物层、Co-Fe-B磁层和非磁层层压而成的层状结构。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及具有多个磁层(magnetic layer)并利用自旋扭矩磁化切换(spintorque magnetization switching)来进行记录的存储元件和存储设备。
技术介绍
随着从移动终端到大容量服务器等各种信息设备的快速发展，元件(诸如配置设备的存储元件和逻辑元件)追求更高的性能改进，诸如高集成性、速度提升与低功耗。特别是半导体非易失性存储器有了显著提高，并且作为大容量文件存储器的闪速存储器快速普及以取代了硬盘驱动器。同时，FeRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)和PCRAM(相变随机存取存储器)等也取得进步，普遍用作替代现有的NOR闪速存储器和DRAM等，从而用作代码存储设备或工作存储器。这些存储器部分已在实际中使用。其中，MRAM使用磁性材料的磁化方向执行数据存储，因而具有高速度和几近无限的重写次数(1015次或更多)，因此已用于诸如工业自动化、飞机的领域。因其高速运行和可靠性，在不久的将来MRAM有望用作代码存储设备或工作存储器。但是，在降低功耗和提升容量上，MRAM也面临挑战。MRAM的记录原理，即使用互连所生成的电流磁场来切换磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储元件，包括：分层结构，其包括：具有与其磁化方向取决于信息发生改变的薄膜面相垂直的磁化的存储层，所述存储层包括Co?Fe?B磁层和至少一个非磁层，其中，通过施加电流到所述分层结构的层压方向来改变所述磁化方向，以便将所述信息记录到所述存储层中，具有与成为存储在所述存储层的信息的基础的薄膜面相垂直的磁化的磁化固定层，以及由非磁性材料形成的位于所述存储层和所述磁化固定层之间的中间层；以及氧化物层、所述Co?Fe?B磁层和所述非磁层层压而成的层状结构。

【技术特征摘要】
2011.12.01 JP 2011-2632871.一种存储元件，包括: 分层结构，其包括: 具有与其磁化方向取决于信息发生改变的薄膜面相垂直的磁化的存储层，所述存储层包括Co-Fe-B磁层和至少一个非磁层，其中，通过施加电流到所述分层结构的层压方向来改变所述磁化方向，以便将所述信息记录到所述存储层中， 具有与成为存储在所述存储层的信息的基础的薄膜面相垂直的磁化的磁化固定层，以及 由非磁性材料形成的位于所述存储层和所述磁化固定层之间的中间层；以及 氧化物层、所述Co-Fe-B磁层和所述非磁层层压而成的层状结构。2.根据权利要求1所述的存储元件，其中 所述中间层的至少与所述存储层接触的界面由氧化物形成，并且所述层状结构由所述中间层的氧化物层、所述存储层的所述Co-Fe-B磁层和所述存储层的所述非磁层形成。3.根据权利要求1所述的存储元件，其中 在所述中间层的相对侧不同层的至少与所述存储层接触的界面由氧化物形成，并且所述层状结构由所述不同层的氧化物层...

【专利技术属性】
技术研发人员：山根一阳，细见政功，大森广之，别所和宏，肥后丰，浅山彻哉，内田裕行，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：