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本发明公开了存储元件和存储设备。提供了一种具有分层结构的存储元件，包括具有与其磁化方向对应于信息发生改变的薄膜面相垂直的磁化的存储层，并包括Co-Fe-B磁层和至少一个非磁层；其中通过使电流以分层结构的层压方向流动来改变存储层的磁化方向，以...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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