存储元件和存储设备制造技术

本发明专利技术提供了一种存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构：存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在分层结构的层压方向上施加电流来改变磁化方向以将信息记录在存储层中，存储层包括第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，键合层，其层压在第一铁磁层上，以及第二铁磁层，其层压在键合层上并经由键合层与第一铁磁层键合，第二铁磁层具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向；磁化固定层，其具有固定的磁化方向；中间层，其被配置在存储层与磁化固定层之间，并与第一铁磁层接触；以及覆盖层，其与第二铁磁层接触。

【技术实现步骤摘要】
存储元件和存储设备
本技术涉及一种存储元件和存储设备。
技术介绍
在信息处理装置中，广泛使用高速及高密度动态随机存取存储器(DRAM)作为随机存取存储器。然而，DRAM是一种断电时丢失其信息的易失性存储器。因此，期望有不丢失其信息的非易失性存储器。利用磁性材料的磁化来记录信息的磁性随机存取存储器(MRAM)已被视为可能的非易失性存储器，并且已在开发。在MRAM中，通过使用电流磁场来转换磁化，或者直接将自旋极化电子注入记录层中以诱发磁化转换来进行记录(例如，参见日本待审查专利申请公开第2004-193595号)。其中，记录电流可随元件尺寸减小而降低的自旋注入磁化转换引发了关注。为进一步使元件小型化，已检阅了使用垂直磁化膜(其中，磁性材料的磁化方向垂直取向)的方法(例如，参见日本待审查专利申请公开第2009-81215号)。日本待审查专利申请公开第2004-193595号公开了使用垂直磁化膜的自旋注入磁化转换元件的转换时间的方程。
技术实现思路
然而，根据日本待审查专利申请公开第2004-193595号中所示的转换时间的方程，使用垂直磁化膜的自旋注入磁化转换元件的磁化转换时间可能长于不使用垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储元件，包括：分层结构，其包括：存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在所述分层结构的层压方向上施加电流来改变所述磁化方向以将信息记录在所述存储层中，所述存储层包括：第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，键合层，其层压在所述第一铁磁层上，以及第二铁磁层，其层压在所述键合层上，并经由所述键合层与所述第一铁磁层键合，所述第二铁磁层具有倾斜于与所述膜表面垂直的方向的磁化方向，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个铁磁层是主要发生面内磁化的面内磁化层，另一铁磁层是主要发生垂直磁化的垂直磁化层；磁化固定层，其具有固定的磁化方向；中间层，其被配置在所述存储层与所述磁化固定层之间...

【技术特征摘要】
2011.11.30 JP 2011-2615221.一种存储元件，包括：分层结构，其包括：存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在所述分层结构的层压方向上施加电流来改变所述磁化方向以将信息记录在所述存储层中，所述存储层包括：第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，其中，所述与膜表面垂直的方向是所述分层结构的层压方向，键合层，其层压在所述第一铁磁层上，以及第二铁磁层，其层压在所述键合层上，并经由所述键合层与所述第一铁磁层键合，所述第二铁磁层具有倾斜于与所述膜表面垂直的方向的磁化方向，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个铁磁层的磁化方向更靠近所述膜表面垂直的方向，另一铁磁层的磁化方向更靠近所述膜表面平行的方向；磁化固定层，其具有与所述膜表面垂直的磁化方向；中间层，其被配置在所述存储层与所述磁化固定层之间，并与所述第一铁磁层接触；以及覆盖层，其与所述第二铁磁层接触。2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，由所述第一铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向形成的角度大于由所述第二铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向形成的角度。3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，由所述第一铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向形成的角度小于由所述第二铁磁层的磁化与垂直于...

【专利技术属性】
技术研发人员：肥后丰，细见政功，大森广之，别所和宏，浅山徹哉，山根一阳，内田裕行，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：