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本发明提供了一种存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构：存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在分层结构的层压方向上施加电流来改变磁化方向以将信息记录在存储层中，存储层包括第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，键合层...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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