一种超级电容充电保护装置制造方法及图纸

一种超级电容充电保护装置，属于电容器技术领域。该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻、电压传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接，电压传感器和超级电容及微处理器相连。本实用新型专利技术的优点：该超级电容充电保护装置通过电压传感器实时向微处理器反馈超级电容的电压信息，系统结构简单、实时性强，操作安全、装置稳定性强。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电容器
，特别涉及一种超级电容充电保护装置。
技术介绍
超级电容也叫做电化学电容器，具有性能稳定、使用寿命长等特点，近年来在电动汽车、太阳能发电、重型机械等领域表现出前有未有的发展趋势，很多发达国家都已把关于超级电容的项目作为国家重点科研方向，超级电容在国内市场上也呈现出蓬勃发展的景象。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术提供一种超级电容充电保护装置。本技术的技术方案是这样实现的:该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻、电压传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接，电压传感器和超级电容及微处理器相连。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，直流电源开始对超级电容充电，充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击，同时电压传感器检测超级电容两端的电压并反馈给微处理器，当电压值达到电容器工作的预定值，微处理器发出控制信号关断IGBT，充电过程结束。本技术的优点:该超级电容充电保护装置通过电压传感器实时向微处理器反馈超级电容的电压信息，系统结构简单、实时性强，操作安全、装置稳定性强。附图说明图1为本技术超级电容充电装置结构图。具体实施方式本技术的详细结构结合实施例加以说明。该超级电容充电装置结构如图1所示，IGBT型号选取1MBI200L-120、微控制器选取型号为PIC16F877A，电压传感器选择KCE-VZOl型直流电压传感器，限流电阻选择RXG20-F型线绕电阻。该超级电容充电装置由微处理器(PIC16F877A)、直流电源、IGBTO1MBI200L-120、限流电阻(RXG20-F型线绕电阻)、电压传感器(KCE-VZOl)和超级电容组成，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接，电压传感器和超级电容及微处理器相连。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，直流电源开始对超级电容充电，充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击，同时电压传感器检测超级电容两端的电压并反馈给微处理器，当电压值达到电容器工作的预定值，微处理器发出控制信号关断IGBT，充电过程结束。权利要求1.一种超级电容充电保护装置，其特征在于:该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻、电压传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接，电压传感器和超级电容及微处理器相连。专利摘要一种超级电容充电保护装置，属于电容器
该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻、电压传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接，电压传感器和超级电容及微处理器相连。本技术的优点该超级电容充电保护装置通过电压传感器实时向微处理器反馈超级电容的电压信息，系统结构简单、实时性强，操作安全、装置稳定性强。文档编号H02J7/00GK202978318SQ201220581178公开日2013年6月5日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日专利技术者李翠, 刘聪, 郑浩 申请人:沈阳创达技术交易市场有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超级电容充电保护装置，其特征在于：该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻、电压传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接，电压传感器和超级电容及微处理器相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李翠，刘聪，郑浩，
申请(专利权)人：沈阳创达技术交易市场有限公司，
类型：实用新型
国别省市：