单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置，该装置在石英安瓿的颈部设置安瓿支架，所述安瓿支架内设有通道；所述通道内设置导流管，所述导流管的一端插进所述石英安瓿的底部，所述导流管的另一端穿出所述安瓿支架与排气管相连接，所述排气管的另一端与真空泵连接；所述安瓿支架上还设有进气管，所述进气管内的碳膜裂解气体通过所述导流管与所述颈部之间的空隙进入所述石英安瓿；所述进气管和所述排气管上均设有流量计。通过在石英安瓿的颈部设置一个安瓿支架，并通过设置在进气管和排气管上的流量计实现石英安瓿内裂解气体的动态平衡，从而在石英安瓿内得到均匀的碳膜。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及材料领域，尤其涉及一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置。
技术介绍
石英安瓿广泛应用于半导体单晶材料的生长工艺，有些原材料会与石英发生化学反应产生粘连，从而影响晶体生长，另一方面石英中的杂质也会向材料中扩散，影响材料性能。因此一般在石英安瓿内壁制备一层碳膜来避免类似情况的发生。碳膜的质量直接影响到晶体生长时熔体寄生形核的几率，从而影响晶体生长成品率。工艺中一般使用无水乙醇裂解或甲烷裂解的方法来进行碳膜制备，反应时使用高纯氮气作为载气将无水乙醇蒸汽或甲烷导入反应管内高温下裂解，从而制备出碳膜。由于安瓿一端封闭，因此安瓿内的气体流动性较差，很难按需要制备出足够厚度且厚度均匀的碳膜。由于甲烷裂解后的尾气是氢气，氢气质量较轻，容易聚集在安瓿顶端，从而影响安瓿顶端安瓿碳膜的形成。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本技术旨在提供一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置，用以解决现有技术中石英安瓿内生成的碳膜不均匀的问题。本技术的目的主要是通过以下技术方案实现的:一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置，该装置包括:在石英安瓶的颈部设置安瓶支架，所述安瓶支架内设有通道；所述通道内设置导流管，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置，其特征在于，包括：在石英安瓿（1）的颈部（2）设置安瓿支架（4），所述安瓿支架（4）内设有通道；所述通道内设置导流管（3），所述导流管（3）的一端插进所述石英安瓿（1）的底部，所述导流管（3）的另一端穿出所述安瓿支架（4）与排气管（7）相连接，所述排气管（7）的另一端与真空泵连接；所述安瓿支架（4）上还设有进气管（8），所述进气管（8）内的碳膜裂解气体通过所述导流管（3）与所述颈部（2）之间的空隙进入所述石英安瓿（1）；所述进气管（8）和所述排气管（7）上均设有流量计。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴卿，周立庆，刘兴新，徐强强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：实用新型
国别省市：