固定装置制造方法及图纸

技术编号:8775087 阅读:162 留言:0更新日期:2013-06-08 18:50
本发明专利技术涉及一种固定装置,其包括:一具有集成电路的半导体本体;一构造在所述半导体本体的表面上的介电钝化层;一构造在所述钝化层下方的带状导体;一构造在所述带状导体下方的氧化物层;一连接介质,所述连接介质在一构造在所述钝化层上方的构件与所述半导体本体之间形成力锁合的连接,其中,一透穿所述钝化层和所述氧化物层的成型部具有一底部面并且在所述底部面上构造一导电层并且所述连接介质在所述导电层与所述构件之间构造电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种如权利要求1前序部分所述的固定装置
技术介绍
由DE 10 2005 009 163 Al公开的是,在半导体本体的钝化表面上借助于导电粘合剂构造电极以连接构件。此外,由DE 10 2006 053 461 Al公开了用于制造微电子结构组件的装置和方法。由 DE 100 36 178 AUDE 42 39 319 C2 和 EP I 103 808 BI 公开了 FET-湿度传感器,其中,通过空气隙与通道区域间隔开的控制电极借助于键合方法与半导体本体电连接。所述控制电极附加地借助于夹紧装置与所述半导体本体力锁合地连接。此外,由DE 199 07 168 CUUS 5 545 589 A、US 5137 461 A 和 US5432675A 公开了另外的固定装置。
技术实现思路
由该背景出发,本专利技术的任务是,提供一种进一步拓展现有技术的固定装置。所述任务通过具有权利要求1特征的固定装置解决。在从属权利要求中包含本专利技术的有利构型。根据本专利技术的主题提供一种固定装置,其包括:一具有集成电路的半导体本体;一构造在所述半导体本体的表面上的介电钝化层;一构造在所述钝化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固定装置,其包括:·一具有集成电路的半导体本体(20);·一构造在所述半导体本体(20)的表面上的介电钝化层(50);·一构造在所述钝化层(50)下方的带状导体(45);·一构造在所述带状导体(45)下方的氧化物层(40);·一连接介质(80),所述连接介质在一构造在所述钝化层(50)上方的构件(60)与所述半导体本体(20)之间构造力锁合的连接;·一具有底部面并且透穿所述钝化层(50)和所述氧化物层(40)的成型部(70)并且在所述底部面上和/或在所述成型部的侧面上构造一导电层并且所述连接介质(80)包括有机聚合物并且在所述导电层与所述构件(60)之间构造电连接;其特征在于,所述构件(6...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:C·维尔贝茨T·科莱特HP·弗雷里希斯
申请(专利权)人:迈克纳斯公司
类型:发明
国别省市:

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