低介电常数微波介电陶瓷LiAlSi2O6及其制备方法技术

技术编号:8760007 阅读:410 留言:0更新日期:2013-06-06 20:09
本发明专利技术公开了一种低介电常数微波介电陶瓷LiAlSi2O6及其制备方法。介电陶瓷材料的组成为LiAlSi2O6。(1)将纯度为99.9%以上的Li2CO3、Al2O3和SiO2的原始粉末按LiAlSi2O6的组成配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1000℃大气气氛中预烧12小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1180℃大气气氛中烧结8小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。本发明专利技术制备的陶瓷在1150~1180℃烧结良好,其介电常数达到5.1~5.3,品质因数Qf值高达101000-125000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种锂基复合氧化物作为低介电常数微波介电陶瓷的应用,其特征在于所述锂基复合氧化物的组成为:LiAlSi2O6;所述锂基复合氧化物的制备方法步骤为:1)将纯度为99.9%以上的Li2CO3、Al2O3和SiO2的原始粉末按LiAlSi2O6的组成配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1000℃大气气氛中预烧12小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1180℃大气气氛中烧结8小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:方亮邓婧唐莹
申请(专利权)人:桂林理工大学
类型:发明
国别省市:

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