连续磁道的智能写入高速缓存制造技术

技术编号:8745867 阅读:226 留言:0更新日期:2013-05-30 00:52
提供在把数据从非易失性存储器(NVS)离台到存储单元的计算存储环境中,处理器设备的连续磁道的写入高速缓存。当第一个磁道被确定是连续的并且一个较早磁道也被确定是连续的时,清除与所述较早磁道相关联的时间比特,以允许所述较早磁道的数据的离台。如果确定修改过的高速缓存中的多个跨距之一中的多个其它磁道之一的时间比特未被设定,那么为离台操作选择与所述多个其它磁道之一相关联的跨距。如果NVS超过预定的存储阈值,那么为离台操作选择所述多个跨距中的预定一个跨距。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:布伦特·卡梅隆·比尔兹利L·M·古普塔约瑟夫·S·海德二世迈克尔·托马斯·本哈斯萨尼·E·威廉姆斯
申请(专利权)人:国际商业机器公司
类型:
国别省市:

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