用于掺杂半导体材料的方法技术

根据本发明专利技术，将半导体材料的进料(4)置于坩埚(1)中。将包含掺杂剂材料(6)的密封牺牲容器(5)置于所述坩埚(1)内。使所述坩埚(1)的内容物熔融，从而导致所述掺杂剂引入到熔融材料的浴中。在低压下进行升温。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在电子和光电领域中，控制半导体材料的结晶基体内存在的掺杂杂质的量是重要的。面临着制造含有所需浓度的电活性杂质的半导体材料的困难，工业上已经选择消除电活性杂质以获得非常弱地掺杂的材料。一旦所述材料摆脱这些杂质，使其成型并然后使用其它技术再次掺杂，这确保更好地控制掺杂剂的水平。该制造方法是冗长且昂贵的，因为其需要消除将随后以所需浓度再次引入的掺杂剂杂质。当要向半导体材料中引入掺杂剂时，在结晶之前，将这些掺杂剂引入到熔融原料中或者在熔融步骤前的原料中。但是，在这两种情况中，结晶半导体材料中的掺杂剂的最终量不总是对应于放在坩埚中的量。通常使用不同的用于引入掺杂剂的方法，但是这些方法都和污染的风险和/或控制所引入的掺杂剂的精确量的问题有关。同样地，掺杂剂在坩埚中的分布不均匀，就所关注的半导体材料中的电性能而言，这导致不均衡。
技术实现思路
确定的是，存在提供易于实施、经济且确保良好地控制所引入的掺杂剂的量的的需求。 根据本专利技术的方法特征在于以下事实:该方法包括以下步骤:-提供包含所述半导体材料原料的坩埚，-将掺杂剂材料置于闭合牺牲容器(recipient)中，该牺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M福斯特，E福尔蒙德，J斯塔德勒，R艾恩豪斯，H劳夫雷，
申请(专利权)人：阿波朗索拉尔公司，希尔特罗尼克斯公司，
类型：
国别省市：