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根据本发明，将半导体材料的进料(4)置于坩埚(1)中。将包含掺杂剂材料(6)的密封牺牲容器(5)置于所述坩埚(1)内。使所述坩埚(1)的内容物熔融，从而导致所述掺杂剂引入到熔融材料的浴中。在低压下进行升温。...
该专利属于阿波朗.索拉尔公司;希尔特罗尼克斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿波朗.索拉尔公司;希尔特罗尼克斯公司授权不得商用。

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