阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板，该阵列基板的像素单元设有测试区域，该像素单元的像素电极在测试区域内通过过孔连接与位于阵列基板表面的第二透明金属层形成的测试块电连接，从而将像素单元的像素电极的测试点引至阵列基板的表面，测试装置可以通过测试每一个像素单元中位于测试区域内的测试块便可得到该像素单元中位于显示区域的像素电极的半导体特性，所以本实用新型专利技术提供的阵列基板能够对每一个像素单元的像素电极进行单独测试，所以能够提高对每一个单独的像素区域中像素电极测试的精确性。本实用新型专利技术还提供了一种包括上述阵列基板的显示装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示
，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
在液晶显示
中，因高级超维场转换技术(ADvanced Super DimensionSwitch，AD-SDS，简称ADS)型阵列基板具有视角宽等优点，所以得到广泛的使用。ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。如图1和图2所示，现有技术中，ADS型阵列基板包括多个像素单元，每一个像素单元中，在玻璃基板上首先制作有根据图形由栅极层做出的栅极线(Gate) 05，在栅极层的上方为均匀沉积的栅绝缘层(Gate Insulator) 03，栅绝缘层03的上方设有具有设定图形结构的半导体层(active) 07，在半导体层07的上方为制作具有预定图形结构的源极(Source) 08和漏极(D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一透明金属层和第二透明金属层，所述第一透明金属层形成像素电极，所述第二透明金属层形成公共电极，且所述第二透明金属层位于所述像素单元表面，所述第一透明金属层与所述第二透明金属层之间设有绝缘防护层；其特征在于，每一个所述像素单元的像素电极延伸出测试部，所述第二透明金属层还形成有与所述测试部对应的测试块，所述测试块与所述公共电极相互隔离，所述绝缘防护层位于所述测试块与所述测试部之间的部分设有至少一个过孔，所述测试块与所述测试部通过所述过孔电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一透明金属层和第二透明金属层，所述第一透明金属层形成像素电极，所述第二透明金属层形成公共电极，且所述第二透明金属层位于所述像素单元表面，所述第一透明金属层与所述第二透明金属层之间设有绝缘防护层；其特征在于，每一个所述像素单元的像素电极延伸出测试部，所述第二透明金属层还形成有与所述测试部对应的测试块，所述测试块与所述公共电极相互隔离，所述绝缘防护层位于所述测试块与所述测试部之间的部分设有至少一个过孔，所述测试块与所述测试部通过所述过孔电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔为至少两个。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔内填充有连接部，所述连接部与所述测试块具有沉积而成的一体式结构。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述测试部与测试块所在区域位于像素单元的显示区域之外。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元中包含有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用顶栅型结构。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，每一个所述像素单元中具有: 形成于基板上的数据线、源极和漏极，所述源极与相邻的数据线电连接； 形成于所述基板上、以及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，陈雅娟，尹岩岩，王磊，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11