小面积衬底用硒源离化器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种小面积衬底用硒源离化器，包括内部有两个电极形成离化腔室的方形离化器壳体，离化腔室中有加热源、离化腔室顶部有气体输出口，离化腔室底部有气体输入口，其特征在于：方形离化器壳体内壁固装有绝缘层，两个电极均为平板状电极板；电极板上有密封绝缘引出在离化器壳体外面的电极接线柱；离化腔室有通向外部的Ar气输入管。本实用新型专利技术由于采用了方便制作的两个方形电极板形成的方形离化腔室，温度400℃~500℃时，通入Ar气后形成辉光放电区；进到辉光放电区的大原子团Se蒸汽裂解成小原子团Se蒸汽，参与小面积衬底上CIGS吸收层制备，提高小面积CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率，并且结构简单、制作方便。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于CIGS薄膜太阳电池吸收层制备装置
，特别是涉及一种小面积衬底用硒源离化器。
技术介绍
CIGS薄膜太阳电池因其具有高转换效率、无光致衰退、抗辐射性能好、低成本、适合卷对卷工艺大规模生产等优点，被认为是最具有发展潜力的薄膜太阳电池。该电池典型结构由衬底、Mo层金属背电极、CIGS层吸收层、CdS缓冲层、窗口层高阻1:ZnO、低阻ZnO:Al、MgF2减反射膜以及N1-Al栅电极构成。其中CIGS吸收层的制备是CIGS太阳电池的核心技术。多元共蒸发法是目前制备CIGS吸收层工艺中被使用最广泛和最成功的方法。多元共蒸发法制备CIGS层，由铜、铟、镓、硒四种元素以Se蒸汽形式在具有一定温度的衬底上反应化合形成Cu(InxGah)Se2的多元合金相。在制备过程中，硒加热蒸发方法产生硒蒸气以供应反应需要，这种方式的优点是简单、易行；但随着硒料的消耗会造成硒源蒸汽压发生变化，进而影响到硒蒸发量的稳定性。而且以这种方式制备的Se蒸汽硒常以Sen Cn^ 5)大原子团簇形式存在，过大的n值严重的降低了分子团簇中硒原子的有效接触面积，直接导致了反应活性及原料使用率的降低、薄膜成份均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】
小面积衬底用硒源离化器，包括内部有两个电极形成离化腔室的方形离化器壳体，离化腔室中有加热源、离化腔室顶部有气体输出口，离化腔室底部有气体输入口，其特征在于：方形离化器壳体内壁固装有绝缘层，两个电极均为平板状电极板，并固装在气体输出口和气体输入口之间相对应的两面内壁的绝缘层上，形成相互平行的两个电极板；两个电极板上均有密封绝缘引出在离化器壳体外面的电极接线柱；绝缘层中穿有从离化腔室通向外部的Ar气输入管；所述离化腔室底部的气体输入口为Se蒸汽输入口。

【技术特征摘要】
1.小面积衬底用硒源离化器，包括内部有两个电极形成离化腔室的方形离化器壳体，离化腔室中有加热源、离化腔室顶部有气体输出口，离化腔室底部有气体输入口，其特征在于:方形离化器壳体内壁固装有绝缘层，两个电极均为平板状电极板，并固装在气体输出口和气体输入口之间相对应的两面内壁的绝缘层上，形成相互平行的两个电极板；两个电极板上均有密封绝缘引出在离化器壳体外面的电极接线柱；绝缘层中穿有从离化腔室通向外部的Ar气输入管；所述离化腔室底部的气体输入口为Se蒸汽输入口。2.根据权利要求1所述的小面积...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵岳，申绪男，张颖武，杨亦桐，乔在祥，赵彦民，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：新型
国别省市：天津;12