【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电解阳扱。更具体而言,本专利技术涉及用于(例如)食品加工或医疗现场的杀菌、水/污水或废水的水处理/杀菌、半导体器件制造エ艺中的清洁、过氧化物如过硫酸铵的生成、或六价铬(Cr (VI))镀覆中铬离子浓度的控制等的电解阳极。
技术介绍
通常,诸如Legionella等细菌附着在空调机组的循环水等上,并且随着这种设备的运转,细菌通过出口被排到室外,结果,细菌漂浮在空气中。另外,诸如Legionella等细菌也在家用浴缸的残余的浴水中繁殖。活性氧,尤其是臭氧,是很强的氧化物质,并且含有溶解的臭氧的臭氧水被用于(例如)需要臭氧的领域,例如,用于清洁/杀菌处理如食品加工或医疗现场的杀菌、含有有机物如丙_■酸和有臭味的土臭味素或细菌等的水/污水或废水(例如,一般废水、压载水)的水处理/杀菌、或半导体器件制造エ艺中的清洁。作为生成臭氧水的方法,已知有通过电解水而在水中生成臭氧的方法。另外,作为同样在半导体电路制造エ艺中使用的清洁剂如光刻胶去除剂,已知有过氧化物如过硫酸铵,并且使用利用活性氧如臭氧的硫酸的电解氧化反应或直接来自硫酸的电解反应,所述臭氧是在过氧化物的制 ...
【技术保护点】
一种电解电极,包括:电极表面层,其是在100Pa或更低的低氧分压下通过高温热处理而形成的,其中所述电极表面层包括阀金属氧化膜,在紧邻所述电极表面层下面具有这样一个层,该层包括阀金属和除银(Ag)之外的贵金属,其中所述贵金属析出并分散于所述阀金属的晶粒界面中,其中从所述电极表面沿垂直深度方向向下至30μm的范围内的所述阀金属的晶体为自所述电极表面开始的垂直截面中伸长的晶粒,并且从所述电极表面沿垂直深度方向向下至10μm的范围内的所述贵金属的含量为5at%或更低。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.17 JP 2010-2097631.ー种电解电极,包括: 电极表面层,其是在IOOPa或更低的低氧分压下通过高温热处理而形成的,其中所述电极表面层包括阀金属氧化膜, 在紧邻所述电极表面层下面具有这样ー个层,该层包括阀金属和除银(Ag)之外的贵金属,其中所述贵金属析出并分散于所述阀金属的晶粒界面中,其中 从所述电极表面沿垂直深度方向向下至30 的范围内的所述阀金属的晶体为自所述电极表面开始的垂直截面中伸长的晶粒,并且 从所述电极表面沿垂直深度方向向下至IOym的范围内的所述贵金属的含量为5at%或更低。2.根据权利要求1所述的电解电极,其中所述贵金属为钼族金属。3.根据权利要求1所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员:冈崎毅,江泽信泰,
申请(专利权)人:田中贵金属工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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