一种带电压过冲门槛限制的IGBT串联动静态均压电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种带电压过冲门槛限制的IGBT串联动静态均压电路，包括两个均压电容、两个均压电阻、门极电阻、均压二极管、门极二极管和门极TVS管，第一均压电阻与第一均压电容并联后，一端连接IGBT的集电极，另一端分别连接第二均压电容的一端、均压二极管的阳极和门极二极管的阳极，均压二极管的阴极经由第二均压电阻连接第二均压电容的另一端；门极二极管的阴极与门极TVS管的阴极连接，门极TVS管的阳极经由门极电阻连接IGBT的门极，IGBT的功率发射极连接在第二均压电容与第二均压电阻之间。此电路在实现串联IGBT动静态均压的基础上，可对超过设定门槛值的关断电压过冲进行限制，使IGBT能够安全高效运行。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种IGBT串联应用的带关断电压过冲门槛限制的动静态均压电路，应用于需要IGBT串联的需要更高耐压的电力系统场合。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)以较高的工作频率、相对较大的工作电压、电流在电气设备领域得到广泛的应用。但是，由于单个IGBT电压等级(目前IGBT的最高电压等级为6500V)的限制，在更高电压等级的应用场合，比如高压逆变器、变频器、静态无功发生装置等，单个IGBT已不能满足电压等级的要求，需要多个IGBT串联使用。在IGBT串联应用场合，由于串联的IGBT开关特性及静态特性不一致、IGBT驱动信号不同步等原因会造成串联的各个IGBT上的电压不均衡，系统内的杂散电感在IGBT关断过程中会产生电压尖峰，这些都容易造成IGBT的损坏。国内外有较多关于串联IGBT动静态均压的技术，例如国外专利US6320362B1所述，在图1所示电路中，通过电阻Rl、R2实现IGBT静态均压，通过电容Cl、C2实现IGBT动态均压。但图1中电路在IGBT集射极电压提高后，由于电阻R2阻值较小，电容C2上的电压通过电阻R2充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带电压过冲门槛限制的IGBT串联动静态均压电路，其特征在于：包括两个均压电容、两个均压电阻、门极电阻、均压二极管、门极二极管和门极TVS管，其中，第一均压电阻与第一均压电容并联后，该并联电路的一端连接IGBT的集电极，另一端分别连接第二均压电容的一端、均压二极管的阳极和门极二极管的阳极，所述均压二极管的阴极则经由第二均压电阻连接第二均压电容的另一端；所述门极二极管的阴极与门极TVS管的阴极连接，而门极TVS管的阳极经由门极电阻连接IGBT的门极，所述IGBT的功率发射极连接在第二均压电容与第二均压电阻之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张茂强，汪涛，李乐乐，刘磊，陈赤汉，
申请(专利权)人：南京南瑞继保电气有限公司， 南京南瑞继保工程技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32