一种基于焊接型IGBT与压接型SiC二极管的反并联电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于焊接型IGBT与压接型SiC二极管的反并联电路，包括串联的焊接型IGBT及其相应的压接型SiC二极管，压接型SiC二极管反并联于其相应的焊接型IGBT。本实用新型专利技术提供的一种基于焊接型IGBT与压接型SiC二极管的反并联电路，在多个IGBT串联的电路中，一个IGBT损坏后形成短路失效的模式，不会造成整个电路的断路。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电力电子半导体器件应用领域，具体讲涉及一种基于焊接型IGBT与压接型SiC 二极管的反并联电路。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是 20 世纪80年代中期出现的一种复合器件，它的输入控制部分为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor),输出级为双极结型晶体管，兼有MOSFET和电力晶体管的优点高输入阻抗，电压控制，驱动功率小，开关速度快， 工作频率可达l(T40kHz，饱和压降低，电压电流容量较大，安全工作区宽，但单个IGBT的电压、电流允许值很难再提高，为了应用于高电压、大功率的领域，需要采用多个IGBT器件串联的方法，目前已有的电路结构为IGBT器件直接串联、IGBT器件H桥级联以及模块化多电平串联等等。采用现有的IGBT串联电路(直接串联、H桥级联、MMC串联)时会产生电压不平衡的情况，而高电压、大功率的应用领域决定了一旦出现严重的电压不平衡，IGBT将不可避免的出现失效甚至爆炸。而IG本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于焊接型IGBT与压接型SiC二极管的反并联电路，其特征在于：所述基于焊接型IGBT和压接型SiC二极管的反并联电路包括串联的焊接型IGBT及其相应的压接型SiC二极管，压接型SiC二极管反并联于其相应的焊接型IGBT。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锐，温家良，陈中圆，韩健，王成昊，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院，
类型：实用新型
国别省市：