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本实用新型提供一种基于焊接型IGBT与压接型SiC二极管的反并联电路，包括串联的焊接型IGBT及其相应的压接型SiC二极管，压接型SiC二极管反并联于其相应的焊接型IGBT。本实用新型提供的一种基于焊接型IGBT与压接型SiC二极管的反并联...
该专利属于中国电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国电力科学研究院授权不得商用。

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