一种单晶炉及其副室延伸段制造技术

本实用新型专利技术提供了一种单晶炉的副室延伸段，其中，所述副室延伸段的底端与单晶炉的副室连接，所述副室延伸段的顶端与所述单晶炉的晶体提升机构连接，且所述副室延伸段设置有与所述副室的内部空间连通并能够容纳所述单晶炉生产的单晶硅棒的头部的贯穿内腔。本实用新型专利技术提供的单晶炉的副室延伸段，因为其能够使的单晶炉生产出长度更长的单晶硅棒，这样就可以使单次生产的装料量更大，显著提升单晶炉的产量，进而降低生产成本。本实用新型专利技术还提供了一种具有上述副室延伸段的单晶炉。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池生产设备
，更具体地说，涉及一种单晶炉的副室延伸段，本技术还涉及一种具有该副室延伸段的单晶炉。
技术介绍
太阳能电池用单晶硅一般采用CZ法进行生产，采用CZ法生产单晶硅的主要设备为单晶炉，如图1所示，其主要包括炉筒01、炉盖02、副室03、晶体提升机构04，其中，炉筒01和炉盖02组成了单晶炉的主室，晶体提升机构04通过法兰与副室03连接。在生产的过程中，原料多晶硅放在炉筒01的内部，当原料多晶硅受热转化成液体状态后，晶体提升机构04控制轴向旋转的籽晶从副室的内腔中下降到液体中，使多晶硅液体在籽晶的引导下生长以形成固体单晶硅，一段时间后，当固体单晶硅生长成的单晶硅棒达到一定长度后，单晶炉控制单晶硅停止生长，并通过晶体提升机构04将生成的单晶硅棒完全提拉至副室03中，然后使晶体提升机构04、副室03及副室03内腔中的单晶硅棒上升并与炉筒01发生错位旋转，使得晶体提升机构04、副室03及副室03内腔中的单晶硅棒与炉筒01在竖直方向上错开，最后控制晶体提升机构04使单晶硅棒下降，进而使其脱离副室03内腔，生产过程完成。近年来，国内单晶炉市场发展迅速，其主要向着生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉的副室延伸段，其特征在于，所述副室延伸段（1）的底端与单晶炉的副室（2）连接，所述副室延伸段（1）的顶端与所述单晶炉的晶体提升机构（3）连接，且所述副室延伸段（1）设置有与所述副室（2）的内部空间连通并能够容纳所述单晶炉生产的单晶硅棒的头部的贯穿内腔（11）。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的副室延伸段，其特征在于，所述副室延伸段(I)的底端与单晶炉的副室(2)连接，所述副室延伸段(I)的顶端与所述单晶炉的晶体提升机构(3)连接，且所述副室延伸段(I)设置有与所述副室(2)的内部空间连通并能够容纳所述单晶炉生产的单晶硅棒的头部的贯穿内腔(11)。2.根据权利要求1所述的单晶炉的副室延伸段，其特征在于，所述副室延伸段(I)的侧壁为内部设置有密封空间的双层结构。3.根据权利要求2所述的单晶炉的副室延伸段，其特征在于，所述副室延伸段(I)的底端设置有与所述密封空间连通的入水口(12)，所述副室延伸段(I)的顶端设置有与所述密封空间连通的出水口(13)。4.根据权利要求1所述的单晶炉的副室延伸段，其特征在于，所述副室延伸段(I)的侧壁上设置有检修门(14)，所述检修门(14)的一侧通过合页与所述侧壁连接，与其对应的另一侧通过内六角螺丝与所述侧壁连接，且所述检...

【专利技术属性】
技术研发人员：白剑铭，孙二凯，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：实用新型
国别省市：