储存材料和由其获得H-硅烷的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于获得H-硅烷的储存材料，其以氢化聚硅烷(HPS)的形式存在，为纯化合物或化合物的混合物形式，所述化合物平均具有至少6个直接的Si-Si键，其取代基主要由氢构成，并且在其组成中取代基与硅的原子比为至少1∶1。本发明专利技术还涉及一种从具有该性质的储存材料获得H-硅烷的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】储存材料和由其获得H-硅烷的方法本专利技术涉及储存材料，并涉及由其获得H-硅烷的方法。气态的或易挥发的，即短链H-硅烷SinH2n+2是将硅沉积在表面上的过程中的重要起始物料，例如在CVD过程中或用于制备溶液(例如用于喷墨过程中)。短链H-硅烷的一个决定性的缺点是较低的代表性物质(η = 1、2)是气态的，所以只能在加压的气瓶中处理。此外，最高到链长为η = 6的所有的H-硅烷毫无例外地都是自燃的，所以需要许多安全措施以便较大量地储存。但是短链H-硅烷的高蒸气压对于气相过程是有利的，因为能够保证硅烷在气相中的高浓度。因此，需要储存短链H-硅烷的安全形式并需要根据需要或在需要时释放短链H-娃烧的合适的方法。根据现有技术，例如从DE 2139155已知链长η = 7或更长的聚硅烷SinH2n+2在空气中是非自燃的。在文献中，存在从较长链聚硅烷中释放短链H-硅烷的若干方法:a)热分解聚硅烷在高温下分解成硅和氢。但是，该热分解在低到接近300°C的温度开始，然后产生氢、短链硅烷SinH2n+2以及聚合产物(SiH<2)x，例如从R.Schwarz, F.Heinrich,Zeitschr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.30 DE 102010025710.91.一种用于获得氢化硅烷(H-硅烷)的储存材料，其特征在于氢化聚硅烷是纯化合物或化合物的混合物，所述化合物具有平均至少6个直接的S1-Si键，其取代基主要由氢构成，并且在其组成中取代基:硅的原子比为至少1:1。2.根据权利要求1的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷: a)在IR分子振动谱上在低于2300波数的区域内具有其显著的振动频带， b)在拉曼分子振动谱中在2000-2200波数的区域内具有显著的振动频带， c)在29SiNMR谱中在-70ppm到-130ppm的化学位移范围内具有其显著的产物信号。3.根据权利要求1或2的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷的平均链长大于6并且小于100。4.根据前述权利要求的任一项的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷是无色的到淡黄色的。5.根据前述权利要求的任一项的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷具有小于1%的金属含量。6.根据前述权利要求的任一项的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷基本不含短链的支链或环形化合物，并且 在短链级分中分支点的含量小于2%，按产物混合物作为整体。7.根据前述权利要求的任一项的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷的取代基仅由氢构成。8.根据前述权利要求的任一项的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷主要包含直链长链。9.根据前述权利要求的任一项的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷是半流体的到固体的。10.根据前述权利要求的任一项的储存材料，其特征在于所述氢化聚硅烷能溶解于合适的惰性溶剂中。11.根据前述权利要求的任一项的储存材料，其特征在于所述氢化聚娃烧含有小于I原子％的齒素。12.一种用于获得氢化娃烧(H-娃烧)的方法,其特征在于所述氢化娃烧由根据前述权利要求的任一项的储存材料获得。13.根据权利要求12的方法，其特征在于在第一步中制备所述储存材料和在第二步中由所述储存材料获得H-硅烷。14.根据权利要求12或13的方法，其特征在于所述氢化硅烷(H-硅烷)通过以下合成步骤的一个或更多个从所述储存材料获得: a)氢化聚硅烷(HPS)的热分解，其优选在0.l-1013hPa的压力范围内进行， b)环硅烷(SinH2n)的开环聚合，其中n= 4、5、6，且其优选在0.l_1013hPa的压力范围内进行， c)催化链增长，其优选在1-300巴的压力范围内进行， d)...

【专利技术属性】
技术研发人员：诺伯特·奥尼尔，加瓦德·莫赫森尼，斯文·霍尔，克里斯蒂安·鲍赫，鲁门·德尔特舍维，
申请(专利权)人：斯帕恩特私人有限公司，
类型：
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