低相位噪声压控振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种低相位噪声压控振荡器，包括负阻电路模块、差分耦合电感电容谐振腔和源级反馈电感。耦合电感电容谐振腔用以提高谐振腔的有效品质因数，源级反馈电感与谐振腔电感之间的磁耦合作为反馈以增加谐振腔输出信号的振幅，负阻电路模块采用电流复用结构以降低功耗并去除共模节点的二次谐波对相位噪声的恶化。本发明专利技术低相位噪声压控振荡器可有效降低相位噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频无线接收机集成电路
，具体涉及一种低相位噪声压控振荡器。
技术介绍
压控振荡器是通信系统中用于产生本振信号的模块，其性能直接决定通信系统的性能。相位噪声作为压控振荡器的一个主要性能指标，影响着接收机的灵敏度和发射机的临近信道干扰。因此设计一个低相位噪声的压控振荡器对现代无线通信系统显的尤为重要。压控振荡器的实现形式主要有环形振荡器和电感电容压控振荡器。环形振荡器由于相位噪声性能较差，主要被用于产生片上时钟信号。而电感电容压控振荡器由于其良好的相位噪声性能而广泛应用于无线通信领域。根据D.B.Lesson相位噪声模型公式，电感电容压控振荡器的相位噪声L(Af)可表示为:

【技术保护点】
一种低相位噪声压控振荡器，其特征是：包括负阻电路模块、差分耦合电感电容谐振腔，其中：负阻电路模块包括PMOS管Mp、NMOS管Mn、两个电感值相等的源级反馈电感Ls1和Ls2；电源VDD串联源级反馈电感Ls1后连接PMOS管Mp的源极，NMOS管Mn的源极串联源级反馈电感Ls2后接地，PMOS管Mp的栅极连接NMOS管Mn的漏极作为输出端Vp，NMOS管Mn的栅极连接PMOS管Mp的漏极作为输出端Vn；差分耦合电感电容谐振腔包括差分电感Ld和差分电感Lc以及两个可变电容Cv；差分电感Ld由电感Ld1与电感Ld2串联组成，且电感Ld1与电感Ld2的电感值相等，电感Ld1与电感Ld2未连接在一起的...

【技术特征摘要】
1.一种低相位噪声压控振荡器，其特征是:包括负阻电路模块、差分耦合电感电容谐振腔，其中: 负阻电路模块包括PMOS管Mp、NMOS管Mn、两个电感值相等的源级反馈电感Lsl和Ls2 ；电源VDD串联源级反馈电感Lsl后连接PMOS管Mp的源极，NMOS管Mn的源极串联源级反馈电感Ls2后接地，PMOS管Mp的栅极连接NMOS管Mn的漏极作为输出端Vp，NMOS管Mn的栅极连接PMOS管Mp的漏极作为输出端Vn ； 差分耦合电感电容谐振腔包括差分电感Ld和差分电感L。以及两个可变电容Cv ;差分电感Ld由电感Ldl与电感Ld2串联组成，且电感Ldl与电感Ld2的电感值相等，电感Ldl与电感Ld2未连接在一起的一端分别与负阻电路模块输出端Vp与输出端Vn连接；差分电感L。由电感Lca与电感Le2串联组成，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊祥宁，李斌，王加锋，施晓阳，王志功，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：