压控振荡器的偏置电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种压控振荡器的偏置电路，包括第一组电流镜、第二组电流镜；第一组电流镜包括第一MOS管、第二MOS管，第一MOS管、第二MOS管为类型相同；第二组电流镜包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管与第一MOS管、第二MOS管类型相反；第五MOS管的栅极、漏极与第六MOS管的栅极及第二MOS管的漏极相连；第五MOS管的源极与第三MOS管的漏极、栅极以及第六MOS管的源极相连；第六MOS管的漏极与第四MOS管的栅极及第七MOS管的栅极相连；第七MOS管的源极、漏极与第三MOS管的源极及第四MOS管的源极接电源电压；第四MOS管的漏极接压控振荡器。本实用新型专利技术的压控振荡器的偏置电路，能减小器件的尺寸。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种压控振荡器的偏置电路，偏置电路包括第一组电流镜、第二组电流镜；所述第一组电流镜包括第一MOS管、第二MOS管，第一MOS管、第二MOS管为类型相同的晶体管；所述第二组电流镜包括第三MOS管、第四MOS管，第三MOS管、第四MOS管为与第一MOS管、第二MOS管类型相反的晶体管；所述第一MOS管的栅极、漏极及所述第二MOS管的栅极接基准电流源，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极接地；其特征在于：所述第二组电流镜还包括第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管为与第一MOS管、第二MOS管类型相反的晶体管；所述第五MOS管的栅极、漏极与所...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：盛怀茂，陈敏强，
申请(专利权)人：汉凌微电子上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：