本发明专利技术提供即使记录信息的记录区域的大小比光的衍射极限还小，也可以较好地再生信息的光学信息再生装置、光学信息再生方法及信息记录介质。光学信息再生装置包括：射出再生光的光源(14)；具有接近记录层(2)的记录区域(4)而配置的共振部(22)，共振部(22)在记录区域(4)和共振部(22)之间产生等离子共振的等离子共振元件(9)；检测来自再生光照射的等离子共振元件(9)的反射光或透过光的光检测器(17a)；基于光检测器(17a)的检测信号判断记录区域(4)是处于记录状态还是处于未记录状态，并再生记录于记录区域(4)的信息的再生部(24)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光学再生记录于信息记录介质的信息的光学信息再生装置及光学信息再生方法，以及至少包含基板和记录层的信息记录介质。
技术介绍
作为光学信息再生装置，将⑶(光盘)、DVD、BD(蓝光光盘)等光盘或光卡等用作为信息记录介质的光存储系统已实用化。将以往的光存储系统的再生原理简化如图10所示。图10是示意以往的光学信息记录再生装置的结构的一部分和从信息记录介质再生信息的情况的说明图。在以往的光学信息记录再生装置中，来自光源(未图示)的再生光107通过物镜110而被聚光，再生光107作为照射光105照射形成在信息记录介质103的基板101上的记录膜102的作为记录有信息的记录区域的记录标记104。然后，通过检测来自记录标记104的反射光106、108，从信息记录介质103再生信息。例如，如果使记录标记104为记录状态时反射率低，为未记录状态时反射率高，则光学信息记录再生装置通过检测反射光106、108的光量，可以判断记录标记104是处于记录状态还是处于未记录状态，从而能够再生信息记录介质103的光学信息。然而，在迄今为止的光存储系统中存在的问题是，再生可能的记录标记的尺寸(记录标记长度)受到物镜的NA(数值孔径)和由再生光的波长所决定的被称为衍射极限的光学极限尺寸限制，进一步高密度化存在困难。近年来，为了打破衍射极限，提出了利用光点直径比衍射极限小的近场光的光存储器。专利文献I记载了一种利用由金属的微小结构构成的近场光探头(near-field lightprobe)的光记录再生装置。专利文献I的光记录再生装置中，通过由近场光探头产生的近场光，使相变记录介质的记录层从结晶相变为非晶态(amorphous),形成记录标记以进行记录。而且,对形成了记录标记的相变记录介质照射近场光，通过检测从相变记录介质返回的散乱光的强度的变化进行再生。由于近场光是随着离开发生源而快速衰减的局部化的光(不传播的光)，所以一般不能取出，但通过让记录标记等物体接近，可以将近场光的一部分作为散乱光取出。即，在近场光照射到相变记录介质的记录标记时，该近场光散乱的比例随记录标记的有无而相应地变化。因此，专利文献I的光记录再生装置通过检测来自记录标记的散乱光的强度变化来进行再生。然而，本专利技术的专利技术者们通过探讨发现，在专利文献I的光记录再生装置中，虽然能够形成近场光的大小程度(例如，数IOnm左右)的记录标记来实现高密度记录，但是，存在难以较好地再生近场光的大小的记录标记的问题。根据本专利技术的专利技术者们的考察，除了从再生光(传播光)到近场光的变换效率较低(一般最多也就1%左右)以外，如果记录标记的尺寸d比衍射极限还小，即，达到所谓瑞利散射区域(对于波长λ，d < λ /10,例如，λ = 405nm时，d < 40nm)的大小,则即便使近场光聚光成记录标记的尺寸d的大小程度从而能够照射记录标记，返回的散乱光的光量也会随尺寸d的减小而急剧下降。本专利技术的专利技术者们通过光学计算得出，例如，对于20nm左右的记录标记,返回的散乱光的光量相对于照射的近场光的光量，例如为O. OOl %左右，相对于再生光的光量，返回的散乱光的光量最多为上述值的1%左右，即，充其量为O. 00001%左右。其结果，存在对应于记录标记的有无而检测出的散乱光的强度的变化，相对于再生光量例如还不足O. 00001%，太小以致于难以进行较好的信息再生的问题。专利文献1:日本专利公开公报特开2003-114184号。
技术实现思路
本专利技术为解决上述问题，其目的在于提供一种即使记录有信息的记录区域的大小比光的衍射极限还小，也能够较好地再生信息的光学信息再生装置、光学信息再生方法及信息记录介质。本专利技术的一个方面所涉及的光学信息再生装置，是再生记录在至少包含基板及记录层的信息记录介质的信息的光学信息再生装置，包括射出再生光的光源；具有接近所述记录层的记录区域而配置的共振部，所述共振部在所述记录区域和所述共振部之间产生等离子共振的等离子共振元件；检测来自所述再生光照射的所述等离子共振元件的反射光或透过光的光检测器；基于所述光检测器的检测信号判断所述记录区域是处于记录状态还是处于未记录状态，并再生所述记录区域记录的信息的再生部。根据此结构，从光源射出的再生光照射等离子共振元件，来自等离子共振元件的反射光或透过光被检测，基于检测信号判断记录区域是处于记录状态还是处于未记录状态，记录于记录区域的信息被再生。根据本专利技术，通过利用记录区域和等离子共振元件的共振部之间的等离子共振的程度根据记录区域的状态而相应地变化，从而来自等离子共振元件的反射光量或透过光量变化，即使记录区域的大小比光的衍射极限还小，也能够较好地再生信息。而且，由于等离子共振元件的大小不受空间的限制，可以使等离子共振元件大于记录区域。并且，由于对等离子共振元件直接照射再生光而不是近场光，并检测来自等离子共振元件的反射光或透过光，因而，可以使反射光量、透过光量、反射光量的光量变化或透过光量的光量变化充分增大，从而能提高再生信号的调制度。本专利技术的目的、特征及优点通过以下的详细说明和附图将更为明确。附图说明图1是本专利技术第I实施例的光学信息再生装置的结构的示意图。图2是示意本专利技术第I实施例中的光学信息再生装置的等离子共振元件和从信息记录介质再生信息的状况的说明图。图3(A)是示意在本专利技术第I实施例中，信息记录介质的记录区域为记录状态，等离子共振的程度较大时等离子共振元件附近的状况的沿图2的II1-1II线的剖面图，(B)是示意本专利技术第I实施例中，信息记录介质的记录区域为未记录状态，等离子共振的程度较小时等离子共振元件附近的状况的沿图2的II1-1II线的剖面图。图4㈧是包含圆锥形状的记录区域的信息记录介质的一个例子的示意图，⑶是包含在圆柱的顶端部分具有半球状变圆的形状的记录区域的信息记录介质的一个例子的示意图。图5是表示本专利技术第2实施例的信息记录介质的结构的剖面图。图6是表示本专利技术第3实施例的光学信息再生装置的结构的示意图。图7是示意本专利技术第3实施例中的光学信息再生装置的等离子共振元件和从信息记录介质再生信息的状况的说明图。图8(A)是示意在本专利技术第3实施例中，信息记录介质的记录区域为记录状态，等离子共振的程度较大时等离子共振元件附近的状况的沿图7的VII1-VIII线的剖面图，(B)是示意在本专利技术第3实施例中，信息记录介质的记录区域为未记录状态，等离子共振的程度较小时等离子共振元件附近的状况的沿图的VII1-VIII线的剖面图。图9是本专利技术第4实施例的光学信息再生装置的结构的示意图。图10是表示以往的光学信息记录再生装置的结构的一部分和从信息记录介质再生信息的状况的说明图。具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，以下的实施例是具体化本专利技术的一个实例，并不具备限定本专利技术的技术范围的性质。(第I实施例)首先，利用图1、图2、图3㈧和图3⑶对本专利技术第I实施例的光学信息再生装置、光学信息再生方法及信息记录介质进行详细说明。图1是本专利技术第I实施例的光学信息再生装置的结构的示意图。图2是示意本专利技术第I实施例中的光学信息再生装置的等离子共振元件和从信息记录介质再生信息的状况的说明图。图3(A)是示意在本专利技术第本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.23 JP 2010-1863781.一种光学信息再生装置，再生记录在至少包含基板及记录层的信息记录介质的信息，其特征在于包括:光源，射出再生光；等离子共振元件，具有接近所述记录层的记录区域而配置的共振部，所述共振部在所述记录区域和所述共振部之间产生等离子共振；光检测器，检测来自所述再生光照射的所述等离子共振元件的反射光或透过光；再生部，基于所述光检测器的检测信号判断所述记录区域是处于记录状态还是处于未记录状态，并再生记录于所述记录区域的信息。2.根据权利要求1所述的光学信息再生装置，其特征在于:所述再生光也照射接近所述共振部的所述记录区域。3.根据权利要求1或2所述的光学信息再生装置，其特征在于:来自所述等离子共振元件的反射光量或透过光量，随所述等离子共振元件的共振部和记录状态的所述记录区域或者未记录状态的所述记录区域之间的等离子共振的程度而相应地变化。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学信息再生装置，其特征在于:所述记录区域的一部分或全部由记录材料构成，相对于所述再生光的波长，记录状态的所述记录材料的介电率的实数部的符号和未记录状态的所述记录材料的介电率的实数部的符号彼此不同。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光学信息再生装置，其特征在于:所述记录区域的一部分或全部由记录材料构成，相对于所述再生光的波长，记录状态的所述记录材料的比介电率的实数部和未记录状态的所述记录材料的比介电率的实数部的其中之一方为-5以下，另一方大于_5。6.根据权利要求4所述的光学信息再生装置，其特征在于:记录状态的所述记录材料的介电率的实数部和未记录状态的所述记录材料的介电率的实数部中，所述介电率的实数部较小的所述记录材料的反射光量的变化或透过光量的变化，大于所述介电率的实数部较大的所述记录材料的反射光量的变化或透过光量的变化。7.根据权利要求1至6中任一项所述的光学信息再生装置，其特征在于:所述记录区域的一部分或全部由记录材料构成，所述记录材料的主要成分为相变记录材料，所述记录状态及所述未记录状态，分别对应于非晶态及结晶的其中之一。8.根据权利要求1至7中任一项所述的光学信息再生装置，其特征在于:所述再生光的波长λ满足0.35 μ m彡λ彡0.45 μ m。9.根据权利要求1至8中任一项所述的光学信息再生装置，其特征在于:所述等离子共振元件，具有大致垂直于所述再生光的光轴而配置的平坦部，所述再生光照射所述平坦部。10.根据权利要求1至9中任一项所述的光学信息再生装置，其特征在于:所述光源具有以下特性，在照射所述等离子共振元 件的所述再生光的光轴上，向与所述记录层的配置面垂直的方向偏振的所述再生光的偏振光成分的振幅，大于向其它偏振方向偏振的所述再生光的偏振光...
【专利技术属性】
技术研发人员：盐野照弘，小林良治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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