【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括包含由高折射率区域包围的气孔的微结构的大纤芯面积(largecore area)的单模光纤及其制造方法,以及这种光纤的多种应用,例如用于光信号的放大。
技术介绍
单模光纤及其应用在本领域是公知的。在一种配置中,能够传导泵浦光的包层区域包围单模纤芯,其中泵浦光用于光学地泵浦光纤材料中所包括的有源成分(activeelement)。
技术实现思路
从下述几部分来描述本专利技术的各种实施例。本专利技术的目的之一在于提供一种用于传导光信号的单模光纤,所述光纤具有纵向的光轴以及垂直于该光轴的横截面,所述光纤包括纤芯区域和包层区域。纤芯区域能够以有效折射率为η。的纤芯基模传导光信号波长为X1的光信号。包层区域被设置为包围纤芯区域,且包括内包层区域和外包层区域。内包层区域包括折射率为nb的背景材料以及布置在所述背景材料中的多个内包层部件,其中至少有多个所述多个内包层部件为第一类型的部件。第一类型的部件包括由高折射率区域包围的气孔,其中高折射率区域包括的高折射率材料的折射率K大于内包层背景材料的折射率。该多个第一类型的部件支持了有效折射率为Ii1的光学模式,其中Ii1小于或等于在所述光信号波长上的纤芯基模的有效折射率。本专利技术的目的之一在于提供一种单模包层泵浦的光纤,用于放大光信号,所述光纤具有纵向的光轴以及垂直于该光轴的横截面。所述光纤包括纤芯区域和包层区域。纤芯区域包括掺杂有至少一种有源成分的材料,且能够以有效折射率为η。的纤芯基模传导光信号波长为X1的光信号。包层区域包围纤芯区域,且包括能够传导泵浦波长为泵浦信号的内包层区域,以及外包层区域。内包层 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.25 US 61/358,7091.一种单模光纤,用于传导光信号,所述光纤具有纵向的光轴以及垂直于该光轴的横截面,所述光纤包括: 纤芯区域,其能够以有效折射率为η。的纤芯基模传导光信号波长为λ i的光信号; 包层区域,其包围纤芯区域,该包层区域包括内包层区域和外包层区域,所述内包层区域包括折射率为nb的背景材料以及布置在所述背景材料中的多个内包层部件,其中至少有多个所述多个内包层部件为第一类型的部件,所述第一类型的部件包括由高折射率区域包围的气孔,其中高折射率区域包括折射率K的高折射率材料,折射率大于内包层背景材料的折射率,所述第一类型的部件支持有效折射率为Ii1的光学模式,其中Ii1小于或等于在所述光信号波长λ i上的纤芯基模的有效折射率η。。2.根据权利要求1所述的光纤,所述光纤能够被包层泵浦或是纤芯泵浦且适于放大光信号,纤芯区域包括掺杂有至少一种有源成分的材料;以及内包层区域能够传导泵浦波长为λρ的泵浦信号。3.根据权利要求1或2所述的光纤,其中纤芯区域具有纤芯有效折射率,该纤芯有效折射率大体上等于内包层背景材料的折射率。4.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中所述纤芯区域的最大的横截面尺寸大于约20 μ m,例如大于约30 μ m,例如大于约40 μ m,例如大于约50 μ m,例如大于约75 μ m,例如大于约100 μ m,例如大于约125 μ m,例如大于约150 μ m,例如大于约175 μ m,例如大于约200 μ m,例如大于约300 μ m。5.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中所述纤芯区域的最大横截面尺寸大于约20倍的λ i,例如大于约30倍的λ i,例如大于约40倍的λ i,例如大于约50倍的λ i,例如大于约60倍的λ i,例如大于约75倍的λ i,例如大于约100倍的λ i,例如大于约125倍的λ工,例如大于约150倍的λ i,例如大于约200倍的λ i,例如大于约300倍的λ lt)6.根据权利要求2-5中任一项所述的光纤,其中所述有源成分包括稀土兀素,选自于下述成分构成的组:镱(Yb)、铒(Er)、镨(Pr)、钕(Nd)、钦(Ho)、铥(Tm)、镝(Dy)或其组合,例如铒(Er)和镱(Yb)的组合。7.根据权利要求2-6中任一项所述的光纤,其中掺杂有有源成分的材料大体上布置在所述纤芯区域的有源部分,所述有源部分围绕所述纤芯区域的中心部分,例如所述有源部分大体上由围绕纤芯区域中心部分的横截面环形区域形成。8.根据权利要求7所述的光纤,其中所述有源部分被布置为使得纤芯基模具有与有源部分的模场重叠,该模场重叠低于约50%,例如低于约25%,例如低于约20%,例如低于约15%,例如低于约10%,例如低于约5%,例如低于约1%。9.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中所述纤芯区域进一步地掺杂有一种或多种材料,所述材料选自氟(F)、锗(Ge)、铺(Ce)或其组合构成的组。10.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中所述外包层包括空气包层。11.根据权利要求2-10中任一项所述的光纤,其中所述信号波长在所述有源材料的发射带上,例如在为约900nm至约1200nm的范围上,例如在为约1500nm至约1600nm的范围上,例如在为约1800nm至约2400nm的范围上。12.根据权利要求2-11中任一项所述的光纤,其中所述泵浦波长在所述有源材料的吸收带上。13.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中所述内包层部件大体上布置为周期为Λ的周期晶格,例如六角形晶格。14.根据权利要求13所述的光纤,其中所述晶格的周期Λ可设置为使得比值Λ/λ i大于约5,例如大于约8,例如大于约10,例如大于约12,例如大于约15,例如大于约20,例如大于约30,例如大于约40,例如大于约50。15.根据权利要求13-14中任一项所述的光纤,其中所述晶格的周期Λ可大于约5μ m,例如大于约8 μ m,例如大于约10 μ m,例如大于约12 μ m,例如大于约15 μ m,例如大于约17 μ m,例如大于约20 μ m,例如大于约23 μ m,例如大于约26 μ m,例如大于约30 μ m,例如大于约40 μ m,例如大于约50 μ m,例如大于约75 μ m,例如大于约100 μ m。16.根据权利要求13-15中任一项所述的光纤,其中高折射率区域的平均厚度tavg和晶格的周期被设置为使得tavg/ Λ大于约0.01,例如大于约0.05,例如大于约0.08,例如大于约0.10,例如大于约0.15,例如大于约0.18,例如大于约0.20,例如大于约0.25,例如大于约0.3,例如大于约0.35,例如大于约0.4,例如大于约0.45,例如大于约0.5,例如大于约0.55,例如大于约0.6,例如大于约0.65。17.根据权利要求13-16中任一项所述的光纤,其中所述第一类型部件的气孔的直径(I1设置为使得比值Cl1/ Λ小于约0.5,例如小于约0.4,例如小于约0.35,例如小于约0.3,例如小于约0.25,例如小于约0.2,例如小于约0.15,例如小于约0.1,例如小于约0.05。18.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中所述多个内包层部件进一步包括包含有低折射率区域的第二类型的部件。19.根据权利要求18所述的光纤,其中该低折射率区域是气孔或者包括气孔。20.根据权利要求18-19中任一项所述的光纤,其中该低折射率区域是下掺杂区域或者包括下掺杂区域。21.根据权利要求18-20中任一项所述的光纤,其中所述第二类型的部件至少在围绕所述气孔的材料的组成方面不同于所述第一类型的部件。22.根据权利要求18-21中任一项所述的光纤,其中所述第二类型部件的高折射率区域所延伸的横截面面积小于所述第一类型部件的所述高折射率区域的面积。23.根据权利要求22所述的光纤,其中所述第二类型部件的高折射率区域的横截面面积是所述第一类型部件的所述高折射率区域的面积的约1/10,例如约1/20,例如约1/30,例如约1/40,例如约1/49,例如第二类型部件基本上没有具有高折射率的材料。24.根据权利要求19-23中任一项所述的光纤,其中所述第二类型的部件由所述气孔和内包层背景材料组成。25.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中所述第一类型部件的高折射率区域包括掺锗的硅。26.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中所述第一类型的内包层部件进一步地包括第二区域。27.根据权利要求24所述的光纤,其中第二区域包括折射率低于高折射率区域的折射率的材料。28.根据权利要求24或25的光纤,其中所述第二区域包括折射率高于内包层背景材料的材料。重复权利要求序号28.根据权利要求24-26中任一项所述的光纤,其中所述第二区域布置为围绕所述高折射率区域。29.根据权利要求24-26中任一项所述的光纤,其中所述高折射率区域布置为围绕所述第二区域。30.根据前述任一权利要求所述的光纤,其中高折射率材料和内包层背景材料之间的折射率差至少为约I.1(Γ5,例如至少为约5.1(Γ5,例如至少为约I.ιοΛ例如至少为约5.10_4,例如至少为约7.10_4,例如至少为约I.10_3,例...
【专利技术属性】
技术研发人员:T·T·奥克塞卓德,
申请(专利权)人:NKT光子学有限公司,
类型:
国别省市:
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