用于测试ISFET阵列的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了化学敏感的晶体管器件(诸如ISFET装置)的测试，无需将所述装置暴露于液体。在一个实施方案中，本发明专利技术执行第一试验来计算晶体管的电阻。基于所述电阻，本发明专利技术执行第二试验，以使试验晶体管在多个模式之间转变。基于对应的测量结果，然后在几乎没有至没有电路开销的情况下计算浮动栅电压。在另一个实施方案中，使用至少任一个源或排出装置的寄生电容来偏压ISFET的浮动栅。施加驱动电压和偏压电流，以利用寄生电容来测试晶体管的功能性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于测试ISFET阵列的方法和装置相关申请本申请要求2010年6月30日提交的美国临时申请系列号61/360,493和2010年7月1日提交的美国临时申请系列号61/360,495的优先权权益，它们每篇的公开内容通过引用整体并入本文。
技术介绍
电子装置和组件已经在化学和生物学(更一般地，“生命科学”)中得到众多应用，特别是用于检测和测量不同的化学和生物反应，以及鉴别、检测和测量不同的化合物。一种这样的电子装置被称作离子敏感的场效应晶体管，在相关文献中经常表示为ISFET(或pHFET)。ISFET常规地主要在科学和研究团体中采用，用于便利溶液的氢离子浓度(通常表示为“pH”)的测量。更具体地，ISFET是一种阻抗转化装置，其以类似于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的方式运行，且为选择性地测量溶液中的离子活性而特别构建(例如，溶液中的氢离子是“分析物”)。在“ThirtyyearsofISFETOLOGY：whathappenedinthepast30yearsandwhatmayhappeninthenext30years，”P.Bergveld，Sens.Actuators本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.30 US 61/360,493;2010.07.01 US 61/360,4951.一种测试化学检测装置的方法，所述化学检测装置包括像素元件阵列，每个像素元件包括化学敏感的晶体管，所述化学敏感的晶体管具有源终端、排出装置终端和浮动栅终端，所述方法包括：共同地连接一组化学敏感的晶体管的源终端；在所述组的源终端处施加第一试验电压；测量由所述第一试验电压在所述排出装置终端处产生的对应的第一电流；基于所述第一试验电压和电流，计算电阻值；在所述组的源终端处施加第二试验电压，以在不同运行模式下运行所述组，其中所述第二试验电压至少部分地基于所述电阻值；测量由所述第二试验电压在所述排出装置终端处产生的对应的第二组电流；和基于所述化学敏感的晶体管的所述第二试验电压和电流以及运行性能，计算所述组中的每个化学敏感的晶体管的浮动栅电压；其中所述化学敏感的晶体管的不同运行模式包括三极管模式和饱和模式之一。2.根据权利要求1所述的方法，其中每个化学敏感的晶体管是离子敏感的场效应晶体管。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述组包括所述阵列中的所有化学敏感的晶体管。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述组包括所述阵列的交替行。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述组包括所述阵列的交替列。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：J博兰德，KG法伊夫，MJ米尔格鲁，
申请(专利权)人：生命科技公司，
类型：
国别省市：