一种低电容层积型芯片变阻器及其所使用的过电压保护层制造技术

一种低电容层积型芯片变阻器，其包括具有特殊微观结构的过电压保护材料，该过电压保护材料包含10～30wt%多孔陶瓷基材、65～80wt%微米级导体和半导体微粒和5～10wt%纳米级导体和半导体微粒；尤其，该多孔陶瓷基材的内部布满微细开孔，且所述微米级导体和半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的内部，而所述纳米级导体和半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间以及一级分散的微米级导体和半导体微粒之间，该特殊微观结构使得该过电压保护材料具备抑制过电压和耐数千次以上的8KV静电冲击的能力，因此所述低电容层积型芯片变阻器适合在高湿环境或／和高频电路中使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低电容层积型芯片变阻器，尤其是涉及电容值在IMHz下小于0.3pF且用于抑制过电压、耐静电冲击和保护电子线路的低电容层积型芯片变阻器。
技术介绍
如图1所示，一种在高频范围下使用的变阻器10，其结构包括陶瓷本体11、一对表面电极12a和12b、一对端电极13a和13b、和绝缘层20。其中，所述表面电极12a和12b是以薄膜技术制作在该陶瓷本体11的外层或内层同一平面上，而所述端电极13a和13b分别覆盖在该陶瓷本体11的两个端部上，且与所述表面电极12a和12b分别构成电性连接；而且，所述绝缘层20填满所述表面电极12a和12b之间的间隙14。所述绝缘层20是一种具有过电压保护特性的绝缘材料，其微观结构的特点，如图2所示，是以高分子材料(或称高分子聚合物)21作为绝缘材料的基材(matrix) 22，在该高分子基材22的内部，以一级分散(first dispersion)将粒径介于0.1 100 μ m之间的微米级导体和半导体微粒23均匀散布其中，并且在一级分散的微米级导体和半导体微粒23之间，以二级分散(secondary dispersion)将粒径介于l 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过电压保护材料，以多孔陶瓷材料为基材，应用于正负电极间以抑制瞬时突波电压和耐静电冲击，其特征在于，所述过电压保护材料包含10~30wt%多孔陶瓷基材、65~80wt%粒径介于0.1~100μm之间的微米级导体和半导体微粒及5~10wt%粒径介于1~100nm之间的纳米级导体和半导体微粒；且该多孔陶瓷基材的内部布满微细开孔，所述微米级导体和半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的内部，所述纳米级导体和半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间和一级分散的微米级导体和半导体微粒之间。

【技术特征摘要】
1.一种过电压保护材料，以多孔陶瓷材料为基材，应用于正负电极间以抑制瞬时突波电压和耐静电冲击，其特征在于，所述过电压保护材料包含10 30被％多孔陶瓷基材、65 80wt%粒径介于0.1 100 μ m之间的微米级导体和半导体微粒及5 10wt%粒径介于f IOOnm之间的纳米级导体和半导体微粒；且该多孔陶瓷基材的内部布满微细开孔，所述微米级导体和半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的内部，所述纳米级导体和半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间和一级分散的微米级导体和半导体微粒之间。2.如权利要求1所述的过电压保护材料，其中，所述多孔陶瓷基材由选自刚玉砂、碳化硅、堇青石、氧化铝、氧化锆或硅酸钙中的一种或一种以上组成。3.如权利要求1或2所述的过电压保护材料，其中，所述微米级和纳米级导体微粒选自钼、钯、钨、金、铝、银、镍、铜或其合金的中的一种或一种以上。4.如权利要求1或2所述的过电压保护材料，其中，所述微米级和纳米级半导体微粒选自氧化锌、氧化钛、氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：连清宏，许鸿宗，
申请(专利权)人：立昌先进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：