一种二次加料方法技术

本发明专利技术的实施例公开了一种二次加料方法，应用于单晶硅棒的制备过程，包括：在二次加料器中装入n批硅料，每批硅料包括多个硅料层，且在同一批硅料的多个硅料层中，从底部硅料层到顶部硅料层的硅料的最大直径由小到大；将二次加料器中的硅料投入到硅液中。在对硅液投料过程中，避免了投入的杂质过多，杂质浓度超出范围而出现断棱与析晶等事故；而且避免了直接投入大尺寸的硅料时，出现溅料或者漏硅的情况，使二次加料过程安全。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，更具体地说，涉及。
技术介绍
单晶硅棒的生产多采用CZ (Czochralski)直拉法，将原料放入单晶炉的坩埚中，之后将原料加热熔化成液体(即为熔体)，当硅熔体的温度稳定后，再将棒状籽晶浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体接触时的热应力，会使籽晶产生错位，需将籽晶快速向上提，生长一定长度的缩小的细长颈的晶体，以防止籽晶中的错位延伸到晶体中。控制温度与拉速，使晶体的直径增大到所需大小，根据熔体和单晶炉的情况，控制晶体等直径生长到所需长度。在等径部分完成后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使的晶棒出现错位与滑移线，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点后与液面分开，将晶棒上升至上炉室冷却一段时间后取出。目前，在制备单晶硅棒的过程中，使用单晶炉制备单晶硅棒仍存在一次生产只投一次料的情况，从而每生产一炉都要停炉，导致设备利用率低。面对光伏行业需求，增大投料量，增加单晶炉的产量和效率，成为了光伏行业的发展方向。因此在单晶硅棒制备过程中进行二次加料，节约成本，提高生产效率，但是在实际生产过程中，进行二次加料过程经常出现事故。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二次加料方法，应用于单晶硅棒的制备过程，其特征在于，包括：A、在二次加料器中装入n批硅料，每批硅料包括多个硅料层，且在同一批硅料的多个硅料层中，从底部硅料层到顶部硅料层的硅料的最大直径由小到大；B、将二次加料器中的硅料投入到硅液中。

【技术特征摘要】
1.一种二次加料方法，应用于单晶硅棒的制备过程，其特征在于，包括: A、在二次加料器中装入n批硅料，每批硅料包括多个硅料层，且在同一批硅料的多个硅料层中，从底部硅料层到顶部硅料层的硅料的最大直径由小到大； B、将二次加料器中的硅料投入到硅液中。2.根据权利要求1所述的二次加料方法，其特征在于，所述n为不小于I的整数。3.根据权利要求1所述的二次加料方法，其特征在于，所述步骤B包括: 打开二次加料器下端开口，至少一次性将一批硅料按照从底部硅料层到顶部硅料层的顺序依次投入到硅液中。4.根据权利要求1所述的二次加料方法，其特征在于，所述步骤A后还包括: 装入最终硅料层，且所述最终硅料层中硅料的最大直径小于所述第n批硅料的顶部硅料层的娃料的最大直径。5.根据权利要求1所述的二次加料方法，其特征在于，所述每批硅料的顶部硅料层的间隙中还添加有间隙硅料，且所述间隙硅料的最大直径小于同一批硅料的顶部硅料层的硅料的最大直径。6.根据权利要求1所述的二次加料方法，其特征在于，在一批娃料中，多个娃料层均为金字塔形状。7.根据权利要求1所述的二次加料方法，其特征在于，所述n批硅料中的每批硅料均包括4个硅料层，其 中，在同一批硅料中，按照由底层到顶层的顺序依次为底部硅料层、第二硅料层、第三硅料层和顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：司佳勇，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，
类型：发明
国别省市：