一种耐高温四方结构的压电陶瓷配方组成比例

本发明专利技术公开了一种耐高温四方结构的压电陶瓷配方，包括99.85～99.92wt%的铌锑-锆钛酸铅三元系；0.05～0.1wt%的稳定添加剂；0.03～0.06wt%的玻璃添加剂；所述的铌锑-锆钛酸铅三元系，其分子式为：Pb(1-x）Bax[(Nb1/2Sb1/2)yZrzTi(1-y-z)]O3；其中：x=0.05；y=0.05；z=0.48~0.5；所述的稳定添加剂选用：氧化铈与三氧化二铬的混合物；所述的玻璃添加剂选用：二氧化硅与碳酸锂的混合物。采用本发明专利技术提供的技术方案制备的耐高温陶瓷配方，其组成处入四方相陶瓷结构，其微观晶胞为四方晶胞，由于其晶轴之间的夹角为90°，晶胞结构较稳定，电畴受高温冲击，变化很小。而三方晶胞晶轴夹角不等于90°，此结构处于“亚稳态”，电畴受高温、应力的影响，较易发生“扭转”，而使整个压电陶瓷性能衰退。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路元器件领域，特别的是涉及一种耐高温四方结构的压电陶瓷配方。
技术介绍
随着微电子技术的发展，集成电路愈趋向于小型化、薄型化，同时在生产规模上需要产品的批量化、自动化和高品质，在此大环境下，在电子组装行业里目前最主流的即为表面贴装技术，缩写为SMT，为满足SMT技术要求，对涉及集成电路上所有原器件均提出了更高的要求，用于此装配技术工艺的压电蜂鸣器，要求整个器件耐260°C /20 40s回流焊接。此压电蜂鸣器主要由外壳、压电振子、胶粘剂等组成，因此，压电振子性能的优良决定了整个器件的性能。一般回流焊后，器件受高温冲击电性能将有一定幅度下降，究其根本，主要因为压电陶瓷经高温冲击后，有一部分性能衰退所致，称“退极化”现象。压电陶瓷是人工制造的多晶体压电材料，研究显示，构成压电陶瓷最小的单位是“晶胞”，各原子构成最原始的晶胞，晶胞在空间无限延伸形成压电晶粒。晶胞有多种形式，在“居里”温度以上，压电陶瓷存现立方晶胞；在“居里”温度以下主要存现三方晶胞与四方晶胞。三方晶胞又称菱面晶胞，其与四方晶胞最本质的差异在于“晶轴”之间的夹角，四方晶胞为90°，而三方晶胞不等于90°本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐高温四方结构的压电陶瓷配方，其特征在于，包括如下组分：?铌锑?锆钛酸铅三元系?????99.85～99.92wt%?稳定添加剂??????????????0.05～0.1wt%?玻璃添加剂??????????????0.03～0.06wt%?所述的铌锑?锆钛酸铅三元系，其分子式为：?Pb（1?x）Bax【（Nb1/2Sb1/2）yZrzTi(1?y?z)】O3；其中：x=0.05；y=0.05；z=0.48~0.5。

【技术特征摘要】
1.一种耐高温四方结构的压电陶瓷配方，其特征在于，包括如下组分: 铌锑-锆钛酸铅三元系 99.85 99.92wt% 稳定添加剂0.05 0.lwt% 玻璃添加剂0.03 0.06wt% 所述的铌锑-锆钛酸铅三元系，其分子式为:Pb (1_x)Bax [(Nb1/2Sb1/2) yZrzTi(卜y_z)O3 ;其中:x=0.05 ；y=0.05 ；z=0.48 0.5。2.根据权利要求1所述的一种耐高温四方结构的压电陶瓷配方，其特征在于，包括如下优选组分: 铌锑-锆钛...

【专利技术属性】
技术研发人员：马国阳，
申请(专利权)人：汉得利常州电子有限公司，
类型：发明
国别省市：