一种去除硅材料表面杂质的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除硅材料表面杂质的方法，属于新能源材料制备技术领域。本方法利用强流脉冲电子束辐照处理硅材料，通过瞬时高能量注入引发表面蒸发和表层喷发过程，发挥表面蒸发去除杂质和熔体喷发去除深层杂质的双重效果，获得具有一定厚度且符合太阳能电池制造使用要求的表层高纯多晶硅材料。本方法可对不经任何提纯预处理的冶金多晶硅原料、其他提纯工艺生产的中间硅材料，以及生产使用中表面出现污染和服役性能下降的回收成品硅材料直接进行表面提纯处理，具有操作简单、投资低、能耗低和无环境排放污染等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新能源材料制备
，特别涉及。
技术介绍
太阳能级多晶硅是目前最主要的光伏材料，其复杂的制造工艺和昂贵的制造成本是制约光伏产业迅速发展的瓶颈，严重阻碍了我国太阳能电池的推广和使用。我国能够自主生产的太阳能级多晶硅远远不能满足需求，绝大部分原材料需要进口，开发适合我国国情的太阳能级多晶硅制备技术符合国家能源战略的要求，是我国光伏产业发展的必由之路。目前，世界范围内制备太阳能 电池用多晶硅材料已形成规模化生产，主要方法是改良西门子法。西门子法是以盐酸(或氢气、氯气)和冶金级工业硅为原料，由三氯氢硅，进行氢还原的工艺。该法已发展至第三代，现在正在向第四代改进。第一代西门子法为非闭合式，即反应的副产物氢气和三氯氢硅造成了很大的资源浪费。现在广泛应用的第三代改良西门子工艺实现了完全闭环生产，氢气、三氯氢硅硅烷和盐酸均被循环利用，规模也在每年1000吨以上。但其综合电耗高达170kW h/kg，并且生产呈间断性，无法在硅材料的生产上形成连续作业，另外此法在流程的核心环节上采取了落后的热化学气相沉积，工艺流程的环节过多，一次转化率低，导致流程时间太长，增加了材耗、能耗成本，造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除硅材料表面杂质的方法，利用强流脉冲电子束辐照处理硅材料，发挥表面蒸发去除杂质和熔体喷发去除深层杂质的双重作用，获得符合太阳能电池制造使用要求的表层高纯多晶硅材料；其特征包括步骤如下：（1）对预提纯硅材料表面进行清理和烘干；（2）将烘干后的硅材料放入强流脉冲电子束装置的真空室中，抽真空到3.0×10?3?Pa；通入工作气体，真空度达到1.0×10?2Pa；（3）选择强流脉冲电子束能量密度1~20J/cm2、脉冲宽度1~50μs，对硅材料表面进行脉冲辐照处理，脉冲处理次数不大于30。

【技术特征摘要】
1.一种去除硅材料表面杂质的方法，利用强流脉冲电子束辐照处理硅材料，发挥表面蒸发去除杂质和熔体喷发去除深层杂质的双重作用，获得符合太阳能电池制造使用要求的表层高纯多晶硅材料；其特征包括步骤如下: (1)对预提纯硅材料表面进行清理和烘干； (2)将烘干后的硅材料放入强流脉冲电子束装置的真空室中，抽真...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝胜智，董闯，秦颖，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：