【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种单晶炉，特别是一种改进排气口的单晶炉。
技术介绍
目前大多数单晶炉热系统设计都专注于改善晶体生长速度和单晶棒的质量，然而对于太阳能级单晶硅来说，最重要的通过改变热场结构和晶体生长环境来改变单晶寿命，提高单晶合格率。太阳能级单晶提高单晶合格率，通常有三种方法一是通过改变热场结构来改变单晶参数；二是通过改变晶体生长环境来提高单晶寿命；三是通过工艺改进改善单晶参数。三种方法互相制约、相辅相成缺一不可。对于光伏产业要实现高产量、高品质、低成本，必须在改进热系统提高单晶品质上下功夫。如①改变单晶炉气场对流循环方向和废气排出高度，减少废气孔堵塞的几率，提高单晶寿命、阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道，有效保护不锈钢炉底，减少事故造成的经济损失，节约生产成本。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种减少废气孔堵塞的几率，提高单晶寿命，阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道，有效保护不锈钢炉底的改进排气口的单晶炉。为了完成上述目的，本技术采用的技术方案是一种改进排气口的单晶炉，包括炉体和位于炉体下部的排气管，其特征在于所述的排气管整体为L形的异型管，所述的排气管包括设置在炉体内的集气端和炉体外的排气端，所述的集气端的开口在炉体内竖直向上设置。所述的集气 端的在侧壁靠近开口的上部设有集气孔。所述的集气端为方形管壁圆形内径。本技术的有益效果是采用整体为L形的异型管做排气管，排气管的集气端开口在炉体内竖直向上设置，可以减少废气孔堵塞的几率，阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道，有效保护不锈钢炉底。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是图1中排气管的结构示意图。图3是图2...
【技术保护点】
一种改进排气口的单晶炉，包括炉体（1）和位于炉体（1）下部的排气管（2），其特征在于：所述的排气管（2）整体为L形的异型管，所述的排气管（2）包括设置在炉体（1）内的集气端（3）和炉体（1）外的排气端（4），所述的集气端（3）的开口在炉体（1）内竖直向上设置。
【技术特征摘要】
1.一种改进排气口的单晶炉，包括炉体(I)和位于炉体(I)下部的排气管(2)，其特征在于所述的排气管(2)整体为L形的异型管，所述的排气管(2)包括设置在炉体(I)内的集气端(3)和炉体(I)外的排气端(4)，所述的集气端(3)的开口在炉...
【专利技术属性】
技术研发人员：李广哲，赵聚来，陶建涛，李杰涛，吴双华，焦鹏，
申请(专利权)人：宁晋晶兴电子材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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