本发明专利技术属于荧光粉领域，其公开了一种硫化物上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用；该荧光粉的结构式为aGeS2-bGa2S3:cTm3+；其中，Tm3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.52≤a≤0.7、0.28≤b≤0.45、0.005≤c≤0.03，且a+b+c＝1。本发明专利技术制备的硫化物上转换发光的荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种荧光粉，尤其涉及一种硫化物上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用。
技术介绍
OLED的全称Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管。它有很多的优势，其组件结构简单，生产成本便宜，自发光的特性，加上OLED的反应时间短，更有可弯曲的特性，让它的应用范围极广。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。上转换荧光材料能够在长波(如红外)辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但制备成荧光粉应用于OLED的领域，仍鲜见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种可由红外、红绿光等长波长辐射激发出蓝光发射的硫化物上转换发光的荧光粉。—种硫化物上转换发光的突光粉，其结构式为aGeS2_bGa2S3: cTm3+ ;其中，Tm3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，O. 52彡a彡O. 7,0. 28彡b彡O. 45,0. 005彡c彡O. 03，且a+b+c=I ;优选，a = O. 6、b = O. 38、c = O. 02。本专利技术的另一目的在于提供上述硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，包括如下步骤步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体GeS2，52% % ;Ga2S3，28% 45% ；Tm2S3,O. 5% 3% ；步骤S2、将步骤SI称取的粉体混合、研磨20 60分钟，获得粉料前驱体；步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800 1000°C下煅烧O. 5 5小时，随后降温至100 300°C，并在此温度下保温O. 5 3小时后冷却至室温，获得块状产物；步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述硫化物上转换发光的荧光粉；该荧光粉的结构式为aGeS2_bGa2S3:cTm3+ ;其中，Tm3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，O.52 彡 a 彡 O. 7,0. 28 彡 b 彡 O. 45,0. 005 彡 c 彡 O. 03，且 a+b+c = I。上述硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法中步骤SI 中，优选，a = O. 6、b = O. 38、c = O. 02 ;步骤S2中，所述粉体的研磨时间为40分钟；步骤S3中，所述煅烧过程的煅烧温度为950°C，煅烧时间为3小时；煅烧过程结束后，所述保温过程的温度为200°C，保温时间为2小时。本专利技术的又一目的在于提供上述硫化物上转换发光的突光粉在有机发光二极管中的应用，主要是用作有机发光二极管的发光层材料。这些荧光粉是在是做好单色(如红光)的有机发光二极管做成之后，把荧光粉混在封装材料中涂在有机发光二极管外面，受到红光的激发，辐射出蓝光。本专利技术制备的硫化物上转换发光的荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。另外，本专利技术提供的硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法简单，成本低廉适用于生产化，反应过程无工业三废，属绿色环保，低能耗，高效益产业。附图说明图1为本专利技术的硫化物上转换发光的荧光粉的制备工艺流程图；图2为实施例1制得的硫化物上转换发光的荧光粉的电致发光光谱图；图3为本实施例中有机发光二极管的结构示意图。具体实施例方式本专利技术提供的一种硫化物上转换发光的突光粉，其结构式为aGeS2_bGa2S3:cTm3+ ；其中，Tm3+为掺杂离子，aGeS2-bGa2S3的体系是一种能够让Tm3+实现光能转换的基质，a、b、c为摩尔系数，O. 52≤a≤O. 7、0· 28≤b≤O. 45、0· 005≤c≤O. 03，且a+b+c = I ;优选，a = O. 6、b = O. 38、c = O. 02。本专利技术制备的硫化物上转换发光的荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。上述硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，如图1所示，包括如下步骤步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体GeS2，52% % ;Ga2S3，28% 45% ；Tm2S3,O.5% 3% ；步骤S2、将步骤SI称取的粉体混合、研磨20 60分钟，获得粉料前驱体；步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800 1000°C下煅烧O. 5 5小时，随后降温至100 300°C，并在此温度下保温O. 5 3小时后冷却至室温，获得块状产物；步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述硫化物上转换发光的荧光粉；该荧光粉的结构式为aGeS2_bGa2S3:cTm3+ ;其中，Tm3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，O.52≤a ≤ O. 7,0. 28 ≤ b ≤ O. 45,0. 005 ≤ c ≤O. 03，且 a+b+c = I。上述硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法中步骤SI 中，优选，a = O. 6、b = O. 38、c = O. 02 ;步骤S2中，所述粉体的研磨时间为40分钟；步骤S3中，所述煅烧过程的煅烧温度为950°C，煅烧时间为3小时；煅烧过程结束后，所述保温过程的温度为200°C，保温时间为2小时。上述硫化物上转换发光的荧光粉在有机发光二极管中的应用，主要是用作有机发光二极管的发光层材料。这些荧光粉是在是做好单色(如红光)的有机发光二极管做成之后，把荧光粉混在封装材料中涂在有机发光二极管外面，受到红光的激发，辐射出蓝光。本专利技术提供的硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法简单，成本低廉适用于生产化，反应过程无工业三废，属绿色环保，低能耗，高效益产业。下面结合附图，对本专利技术的较佳实施例作进一步详细说明。实施例11、选用纯度为99. 99%的粉体=GeS2、Ga2S3和Tm2S3粉体，其摩尔百分数分别为60%、38%和 2% ；2、将上述粉体置于刚玉研钵中，研磨40分钟使其均匀混合，获得粉体前驱体；3、将粉体前驱体置于马弗炉中，在900°C下灼烧3小时，然后冷却到200°C保温2小时，再自然冷却到室温取出块状产物，·4、将块状产物研磨、粉碎，得到结构式为O. 6GeS2-0. 38Ga2S3:0. 02Tm3+上转换荧光粉。图2为实施例1制得的硫化物上转换发光的荧光粉的电致发光光谱图；由图2可知，激发波长为796nm ;得到的475nm的发光峰对应的是Tm3+离子1G4 — 3H6的跃迁辐射发光。实施例21、选用纯度为99. 99%的粉体GeS2、Ga2S3和Tm2S3粉体，其摩尔百分数分别为52%、45%和 3% ；2、将上述粉体置于刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，获得粉体前驱体；3、将粉体前驱体置于马弗炉中，在800°C下灼烧5小时，然后冷却到300°C保温O. 5小时，再自然冷却到室温取出块状产物；4、将块状产物研磨、粉碎，得到结构式为O. 52GeS2-0. 45Ga2S3:0. 03Tm3+上转换荧光粉。实施例31、选用纯度为99. 99%的粉体GeS2、Ga2S3和Tm2S3粉体，其摩尔百分数分别为7%、29. 5%和 O. 5% ；2、将上述粉体置于刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，获得粉体前驱体；3、将粉体前驱体置于马弗炉中，在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种硫化物上转换发光的荧光粉，其特征在于，该荧光粉的结构式为aGeS2?bGa2S3:cTm3+；其中，Tm3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.52≤a≤0.7、0.28≤b≤0.45、0.005≤c≤0.03，且a+b+c＝1。
【技术特征摘要】
1.一种硫化物上转换发光的荧光粉，其特征在于，该荧光粉的结构式为aGeS2-bGa2S3:cTm3+ ;其中，Tm3+ 为掺杂离子，a、b、c 为摩尔系数，O. 52 ^ a ^ O. 7>O. 28 ≤ b ≤ O. 45,0. 005 ≤ c ≤ O. 03，且 a+b+c = I。2.根据权利要求1所述的硫化物上转换发光的突光粉，其特征在于，a= O. 6、b =O. 38、c = O. 02。3.—种硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体:GeS2，52% 7% ;Ga2S3，28 % 45 % ; Tm2S3,O. 5% 3% ； 步骤S2、将步骤SI称取的粉体混合、研磨20 60分钟，获得粉料前驱体； 步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800 1000°C下煅烧O. 5 5小时，随后降温至100 300°C，并在此温度下保温O. 5 3小时后冷却至室温，获得块状产物； 步骤S4、将步骤S3中的块状产物...
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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