磁通量的检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种磁通量的检测装置，包括用于放置待测物的转盘；以及沿所述转盘的转轴轴向设置的永磁铁和高斯计探头，所述待测物位于所述永磁铁和高斯计探头之间。在磁通量测试过程中，所述永磁铁提供了一稳定的磁场，所述高斯计探头与永磁铁的相对位置固定，形成一个永磁铁提供的磁场内的固定测试位置，并通过调整转盘实现待测物不同测试点转换，从而在磁场同一测试位置上，测定待测物不同测试点的磁通量，从而在实现不同测试点间连续性测试的同时，为不同的测试点提供基本相同的测试条件，以增加各测试点之间的可比性，提高对于产品的特性分析准确性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

磁通量的检测装置
本技术涉及磁场检测装置，特别是涉及一种磁通量的检测装置。
技术介绍
在现代半导体芯片制造领域，垂直式结构的多层软磁薄膜可有效提升写入的效 率、降低磁场的强度、并提升记录层的热稳定性，从而可提高芯片信息存储量。在垂直式结构的多层软磁薄膜沉积工艺中，磁控溅射以其较高的溅镀率，成为高 性能磁性薄膜沉积的主要工艺。磁控溅射工艺可在低气压下，利用磁场与电场交互作用，使 电子撞击气体分子产生离子，而产生的离子在电场作用下撞向靶材面，使靶材原子从表面 逸出并沉积在衬底上，形成薄膜层。期间，在磁场和电场的交互作用下，电子在靶材表面附 近呈螺旋状运行，其增大电子撞击气体产生离子的概率，提高了气体分子的电离度，由此提 高靶材的溅镀率，获取品质优异的高性能的磁性薄膜层。但由于铁磁性靶材的磁遮罩效应， 造成靶材难以正常溅射；更因为磁力线的聚焦造成靶材表面的侵蚀凹槽，而降低靶材的利 用率。因而磁性薄膜层工艺中，所使用的靶材的高磁通量是磁控溅射获取磁性薄膜层质量 的保证。在靶材生产工艺中，对于靶材的磁通量准确测定是保证靶材质量的关键步骤。磁通量(Pass Through Flux, P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁通量的检测装置，其特征在于，包括：用于放置待测物的转盘；沿所述转盘的转轴轴向设置的永磁铁和高斯计探头，所述待测物位于所述永磁铁和高斯计探头之间。

【技术特征摘要】
1.一种磁通量的检测装置，其特征在于，包括用于放置待测物的转盘；沿所述转盘的转轴轴向设置的永磁铁和高斯计探头，所述待测物位于所述永磁铁和高斯计探头之间。2.根据权利要求1所述的磁通量的检测装置，其特征在于，所述磁通量的检测装置还包括固定支架，所述固定支架包括与所述转盘转轴轴向平行的固定杆；所述永磁铁和高斯计探头安装于所述固定杆上，且能够沿所述固定杆的轴向移动。3.根据权利要求2所述的磁通量的检测装置，其特征在于，所述固定杆上还设有用于测定所述高斯计探头和/或永磁铁位于所述固定杆的轴向位置的高度计。4.根据权利要求2所述的磁通量的检测装置，其特征在于，所述固定杆上装有能够沿所述固定杆的轴向移动的支座；所述支座包括滑动轨道，所述滑动轨道的延伸方向垂直于所述固定杆；所述永磁铁和高斯...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，相原俊夫，大岩一彦，潘杰，王学泽，郑文翔，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料有限公司，
类型：实用新型
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