有机电致发光元件制造技术

本发明专利技术公开了有机电致发光元件，该有机电致发光元件在不减小其发光区域的大小的情况下实现该有机电致发光元件在正面方向上的发光强度的提高。所述有机电致发光元件包括：反射电极；有机电致发光层，其包括发光层；透明电极；和光提取结构，其在所述反射电极与所述有机电致发光层之间，该光提取结构为具有倾斜部分的突出形状，所述倾斜部分的宽度从所述反射电极朝向光提取侧逐渐变窄，其中：所述光提取结构设置在反射电极上以包围发光区域；在沿着与反射电极垂直的平面截取的、其中所述反射电极与所述倾斜部分中的每一个之间所形成的倾角的角度最大的截面中，所述倾角的角度为大于等于23°至小于等于33°。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机电致发光(EL)元件，更具体地涉及一种具有用于在正面方向上提取导波光的结构的有机EL元件。
技术介绍
为了降低有机EL元件的功耗，需要提高有机EL元件的发光强度。已知的方法通过在从有机EL元件的发光层发射的光之中提取由于全内反射而被捕获在有机EL元件中的导波光(guided wave light)来提高有机EL元件的发光强度。图7是相关技术的有机EL元件101的示意性截面图。参照图7来描述由于全内反射而导致的导波光的捕获。通常，基板102由玻璃(具有大约1. 5的折射率)制成，透明电极106由氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0 (商标))等(具有大约1. 9至2.1的折射率)制成，有机EL层内部的发光层105由Alq3等(具有大约1. 7至1. 9的折射率)制成。这些材料基本上平行地堆叠。当光从具有高折射率的介质传递到具有低折射率的介质时，根据斯涅耳定律(Snell’s law)，全内反射在入射角等于或高于临界角时发生。在有机EL元件101中，大约两个全内反射发生。第一全内反射在透明电极106与基板102之间的界面处发生，这是因为基板102具有比发光层105本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光元件，包括：反射电极；有机电致发光层，其包括发光层；透明电极；和光提取结构，其位于所述反射电极与所述有机电致发光层之间，所述光提取结构为具有倾斜部分的突出形状，所述倾斜部分的宽度从所述反射电极朝向光提取侧逐渐变窄，其中：所述光提取结构设置在所述反射电极上，以便包围发光区域；在沿着与所述反射电极垂直的平面截取的、其中所述反射电极与每一个倾斜部分之间所形成的倾角的角度最大的截面中，所述倾角的角度为大于等于23°至小于等于33°，并且具有所述光提取结构的最大厚度的位置定位在所述反射电极上；并且相对于具有所述光提取结构的最大厚度的位置更靠近所述发光区域的第一倾斜部分和相对于具有所述光提...

【技术特征摘要】
2011.09.16 JP 2011-2030581.一种有机电致发光兀件，包括 反射电极； 有机电致发光层，其包括发光层； 透明电极；和 光提取结构，其位于所述反射电极与所述有机电致发光层之间，所述光提取结构为具有倾斜部分的突出形状，所述倾斜部分的宽度从所述反射电极朝向光提取侧逐渐变窄， 其中 所述光提取结构设置在所述反射电极上，以便包围发光区域； 在沿着与所述反射电极垂直的平面截取的、其中所述反射电极与每一个倾斜部分之间所形成的倾角的角度最大的截面中，所述倾角的角度为大于等于23°至小于等于33°，并且具有所述光提取结构的最大厚度的位置定位在所述反射电极上；并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：石津谷幸司，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：