【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
氧化铟锡(ITO)作为透明导电薄膜被广泛应用各种光电器件，包括图像传感器、太阳能电池(OPV)、液晶显示器、有机电致发光(OLED)和触摸屏面板。随着市场需求量的增加和产品质量提高的要求，这些金属氧化物暴露出一系列问题(I)铟元素可开采量有限；它们在酸性和碱性条件下不稳定；(3)它们的离子扩散对聚合物层造成污染；(4)它们的非柔性特性无法满足柔性器件的要求；(5)在近红外区透明性能不好。因此开发新型透明导电薄膜具有重要的理论和实际意义。目前，有望替代ITO的透明导电材料有掺杂ZnO、导电聚合物(如聚3，4_乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸，聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)、碳纳米管、石墨烯、金属栅和银纳米线等。其中由于碳纳米管、石墨烯和银纳米线在柔性、稳定性和导电性等方面的优势而格外受人关注。利用化学气相沉积方法制备的石墨烯已在触摸屏上得到了应用。但由于石墨烯在生长过程中难以避免引入缺陷，它的薄膜电阻大多在500Ω/ □以上。由银纳米线制备的透明导电薄膜在可见光透光率为90%左右时可获得100 Ω/ □左右的薄膜电阻。美国莱斯大学研...
【技术保护点】
一种柔性透明电极，其特征在于：包括透明聚合物衬底和附着在透明衬底上的银纳米线薄膜和石墨烯薄膜的叠层。
【技术特征摘要】
1.一种柔性透明电极，其特征在于包括透明聚合物衬底和附着在透明衬底上的银纳米线薄膜和石墨烯薄膜的叠层。2.如权利要求1所述的柔性透明电极，其特征在于所述银纳米线薄膜和石墨烯薄膜的叠层的结构为+aS-gA ,如- ’ +0-\§-0七或4^-0#卡，其中，Ag表示为银纳米线薄膜，G表示为石墨烯薄膜，η表示为层数，其值为1-10。3.如权利要求1或2所述的柔性透明电极，其特征在于所述每层银纳米线薄膜的厚度为 5_300nm。4.如权利要求1或2所述的柔性透明电极，其特征在于所述每层石墨烯薄膜的厚度为 O.2_20nm。5.如权利要求1或2所述的柔性透明电极，其特征在于所述银纳米线薄膜和石墨烯薄膜的叠层厚度为5-320nm。6.如权利要求1或2所述的柔性透明电极，其特征在于所述石...
【专利技术属性】
技术研发人员：马延文，蒋旭，赵进，周伟欣，
申请(专利权)人：南京苏展化工科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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