透明导电性薄膜制造技术

本发明专利技术涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用铟锡氧化物(ITO:1ndium Tin Oxide)膜的透明导电性薄膜。
技术介绍
已知具有薄膜基材、透明导体图案和填充材料的透明导电性薄膜(专利文献1:日本特表2007-508639)。薄膜基材具有由二氧化硅等形成的涂层。透明导体图案形成在涂层上。填充材料以埋设透明导体图案的方式形成在薄膜基材上。透明导体图案代表性的是由铟锡氧化物(ITO:1ndium Tin Oxide)膜形成。这种透明导电性薄膜例如应用在电容型触摸面板上，具有透明导体图案难以被辨识到的特征。但是，以往的透明导电性薄膜仍然存在被辨识到透明导体图案的情况(理想的是透明导体图案完全不被辨识到)。现有技术文献 专利文献专利文献1:日本特表2007-508639号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供一种与以往相比更加难以辨识到透明导体图案的透明导电性薄膜。用于解决问题的方案(1)本专利技术的透明导电性薄膜具备薄膜基材、和形成在薄膜基材上的透明导体图案、和形成在薄膜基材上的、埋设透明导体图案的粘合剂层。透明导体图案具有在薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构。第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。“铟锡氧化物”为所谓的 ITO(Indium Tin Oxide)。(2)在本专利技术的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层与第二铟锡氧化物的晶体层为通过加热处理而使铟锡氧化物的非晶体层结晶化而成的晶体层。(3)在本专利技术的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层的厚度薄。(4)在本专利技术的透明导电性薄膜中，薄膜基材的原材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。(5)在本专利技术的透明导电性薄膜中，透明导体图案的厚度(第一铟锡氧化物的晶体层的厚度+第二铟锡氧化物的晶体层的厚度)为10nnT45nm。(6 )在本专利技术的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为6重量9T15重量％，第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为I重量9T5重量％。(7)在本专利技术的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量与第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量之差为3重量9T10重量％。(8)在本专利技术的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的厚度为3nnTl5nm，第二铟锡氧化物的晶体层的厚度为7nnT30nm。(9)在本专利技术的透明导电性薄膜中，第二铟锡氧化物的晶体层的厚度与第一铟锡氧化物的晶体层的厚度之差为lnnTl5nm。(10)在本专利技术的透明导电性薄膜中，粘合剂层的折射率为1.45 1.50。(11)在本专利技术的透明导电性薄膜中，粘合剂层的厚度为10 ii nT500 ii m。(12)在本专利技术的透明导电性薄膜中，设存在透明导体图案的部分的波长450nnT650nm的光的平均反射率为R1 (%)、设不存在透明导体图案的部分的波长450nnT650nm的光的平均反射率为R2 (%)、设AR (%)为平均反射率R1与平均反射率R2之差的绝对值时(A R= I R1-R21 )，A R为0. 7%以下。(13)在本专利技术的透明导电性薄膜中，透明导体图案的表面电阻值为不足150 Q/ □ (ohms per square)。专利技术的效果根据本专利技术，可比以往进一步缩小存在透明导体图案的部分的反射率R1与不存在透明导体图案的部分的反射率R2之差AR。其结果，可得到比以往产品更难以辨识到透明导体图案的透明导电性薄膜。附图说明 图1为本专利技术的透明导电性薄膜的俯视图和剖视示意图具体实施例方式本专利技术人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过使透明导体图案为特定的双层结构，可比以往进一步缩小存在透明导体图案的部分的反射率R1与不存在透明导体图案的部分的反射率R2之差AR。诱明导电件薄膜本专利技术的透明导电性薄膜10如图1所示，具备薄膜基材11、形成在薄膜基材11上的透明导体图案12、和形成在薄膜基材11上并埋设透明导体图案12的粘合剂层13。透明导体图案12具有层叠有第一铟锡氧化物的晶体层14和第二铟锡氧化物的晶体层15的双层结构。下面，将“第一铟锡氧化物的晶体层14”称为“第一铟锡氧化物层14”，将“第二铟锡氧化物的晶体层15”称为“第二铟锡氧化物层15”。薄膜基材用于本专利技术的薄膜基材11优选透明性和耐热性优异的薄膜基材。薄膜基材11的原材料优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。薄膜基材11可以在其表面具备易粘接层、底涂层、或者硬涂层。易粘接层具有提高透明导体图案12与薄膜基材11的密合性的功能。底涂层具有调整薄膜基材11的反射率的功能。硬涂层具有防止薄膜基材11的表面受到损伤的功能。薄膜基材11的厚度例如为10 ii nT200 ii m。薄膜基材11薄时，源自薄膜基材11的挥发成分少，铟锡氧化物层的成膜性会变得良好。因此薄膜基材11的厚度优选为20 u nT50 u m。诱明导体图案用于本专利技术的透明导体图案12具有层叠有第一铟锡氧化物层14与第二铟锡氧化物层15的双层结构。第一铟锡氧化物层14配置在接近薄膜基材11的一侧，第二铟锡氧化物层15配置在远离薄膜基材11的一侧。对透明导体图案12的形状没有特别的限制，可以是如图1所示的条(条纹)状，也可以是未图示的菱形(斜方形)状。透明导体图案12的厚度(第一铟锡氧化物层14的厚度+第二铟锡氧化物层15的厚度)优选为10nnT45nm、进一步优选为15nnT30nm。用于本专利技术的第一铟锡氧化物层14和第二铟锡氧化物层15为在氧化铟(In2O3)中掺杂了氧化锡(SnO2)的化合物的层。对用于本专利技术的第一铟锡氧化物层14和第二铟锡氧化物层15而言，代表性的是通过加热处理使铟锡氧化物的非晶体层结晶化而得到的晶体层。第一铟锡氧化物层1·4的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层15的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物层14的氧化锡含量优选为6重量9T15重量％、进一步优选为8重量9T12重量％。第二铟锡氧化物层15的氧化锡含量优选为I重量9T5重量％、进一步优选为2重量9T4重量％。第一铟锡氧化物层14的氧化锡含量与第二铟锡氧化物层15的氧化锡含量之差优选为3重量9T10重量％、进一步优选为5重量9T8重量％。此处，氧化锡的含量(重量％)用{氧化锡的重量/ (氧化铟的重量+氧化锡的重量)} X 100 (%)来表示。通常，铟锡氧化物层有氧化锡的含量越多，表面电阻率值变得越低、结晶化时间变得越长的倾向。然而，本专利技术的透明导电性薄膜10中，氧化锡的含量少的第二铟锡氧化物层15会促进氧化锡的含量多的第一铟锡氧化物层14的晶体生长。由此，本专利技术的透明导电性薄膜10中，可缩短透明导体图案12的结晶化时间、并且可使表面电阻率值小。第一铟锡氧化物层14的厚度优选比第二铟锡氧化物层15的厚度薄。第一铟锡氧化物层14的厚度优选为3nnTl5nm、进一步优选为5nnTl0nm。第二铟锡氧化物层15的厚度优选为7nnT30nm、进一步优选为10nnT20nm。第一铟锡氧化物层14的厚度与第二铟锡氧化物层15的厚度之差优选为lnnTl5nm、进一步优选为2nnTl0nm。通过使第一铟锡氧化物层14的厚度和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性薄膜，其具备薄膜基材、和形成在所述薄膜基材上的透明导体图案、和形成在所述薄膜基材上的、埋设所述透明导体图案的粘合剂层，所述透明导体图案具有在所述薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构，所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。

【技术特征摘要】
2011.10.06 JP 2011-2219511.一种透明导电性薄膜，其具备 薄膜基材、和 形成在所述薄膜基材上的透明导体图案、和 形成在所述薄膜基材上的、埋设所述透明导体图案的粘合剂层， 所述透明导体图案具有在所述薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构， 所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层与所述第二铟锡氧化物的晶体层为通过加热处理而使铟锡氧化物的非晶体层结晶化的晶体层。3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度比所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度薄。4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述薄膜基材的原材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导体图案的厚度(所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度+所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度)为10nnT45nm。6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为6重量％ 15重量％, 所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梨木智刚，拝师基希，野口知功，石桥邦昭，梶原大辅，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：