透明导电性薄膜制造技术

本发明专利技术涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用铟锡氧化物(ITO:1ndium Tin Oxide)膜的透明导电性薄膜。
技术介绍
已知具有薄膜基材、透明导体图案和填充材料的透明导电性薄膜(专利文献1:日本特表2007-508639)。薄膜基材具有由二氧化硅等形成的涂层。透明导体图案形成在涂层上。填充材料以埋设透明导体图案的方式形成在薄膜基材上。透明导体图案代表性的是由铟锡氧化物(ITO:1ndium Tin Oxide)膜形成。这种透明导电性薄膜例如应用在电容型触摸面板上，具有透明导体图案难以被辨识到的特征。但是，以往的透明导电性薄膜仍然存在被辨识到透明导体图案的情况(理想的是透明导体图案完全不被辨识到)。现有技术文献 专利文献专利文献1:日本特表2007-508639号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供一种与以往相比更加难以辨识到透明导体图案的透明导电性薄膜。用于解决问题的方案(1)本专利技术的透明导电性薄膜具备薄膜基材、和形成在薄膜基材上的透明导体图案、和形成在薄膜基材上的、埋设透明导体图案的粘合剂层。透明导体图案具有在薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性薄膜，其具备薄膜基材、和形成在所述薄膜基材上的透明导体图案、和形成在所述薄膜基材上的、埋设所述透明导体图案的粘合剂层，所述透明导体图案具有在所述薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构，所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。

【技术特征摘要】
2011.10.06 JP 2011-2219511.一种透明导电性薄膜，其具备 薄膜基材、和 形成在所述薄膜基材上的透明导体图案、和 形成在所述薄膜基材上的、埋设所述透明导体图案的粘合剂层， 所述透明导体图案具有在所述薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构， 所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层与所述第二铟锡氧化物的晶体层为通过加热处理而使铟锡氧化物的非晶体层结晶化的晶体层。3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度比所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度薄。4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述薄膜基材的原材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导体图案的厚度(所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度+所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度)为10nnT45nm。6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为6重量％ 15重量％, 所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梨木智刚，拝师基希，野口知功，石桥邦昭，梶原大辅，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：