钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料、制备方法及其应用技术

一种钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其化学式为Y2O2S:xHo3+，其中其中0.01≤x≤0.05。该钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料的光致发光光谱中，钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料的激发波长为640nm，在490nm波长区由Ho3+离子5F3→5I8的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。本发明专利技术还提供该钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法及使用该钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料的有机发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料、制备方法及其应用
本专利技术涉及一种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料、制备方法及有机发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)由于组件结构简单、生产成本便宜、自发光、反应时间短、可弯曲等特性，而得到了极广泛的应用。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。上转换荧光材料能够在长波(如红外)辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但是，可由红外，红绿光等长波辐射激发出蓝光发射的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可由长波辐射激发出蓝光的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料、制备方法及使用该钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的有机发光二极管。一种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其化学式为其化学式为Y202S:XHo3+，其中O. 01 ≤X ≤ O. 05。在优选的实施例中，X为O. 03。—种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤步骤一、称取Y203、Ho203、S和N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其特征在于：其化学式为Y2O2S:xHo3+，其中0.01≤x≤0.05。

【技术特征摘要】
1.一种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其特征在于其化学式为Y202S:XHo3+，其中O.01 ≤ X ≤ O. 05。2.根据权利要求1所述的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其特征在于，X为O.03。3.一种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤步骤一、称取Y2O3、Ho2O3、S和Na2CO3粉体，其中Y2O3、Ho2O3、S、Na2CO3的摩尔比为(O. 95 O.99) (O. 01 O. 05) I 1. 5 ；步骤二、将步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体；步骤三、在还原性气氛下，将所述前驱体在800°C 1000°C下灼烧O. 5小时 5小时，之后冷却到100°C 500°C，再保温O. 5小时 3小时得到粉体产物；步骤四、除去所述粉体产物中的Na2CO3,得到钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料。4.根据权利要求3所述的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，Y203、Ho203、S、Na2C03 的摩尔比 O. 97 : O. 03 :1 :1. 5。5.根据权利要求3所述的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：