钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料、制备方法及其应用技术

一种钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其化学式为Y2O2S:xHo3+，其中其中0.01≤x≤0.05。该钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料的光致发光光谱中，钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料的激发波长为640nm，在490nm波长区由Ho3+离子5F3→5I8的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。本发明专利技术还提供该钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法及使用该钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料的有机发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料、制备方法及其应用
本专利技术涉及一种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料、制备方法及有机发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)由于组件结构简单、生产成本便宜、自发光、反应时间短、可弯曲等特性，而得到了极广泛的应用。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。上转换荧光材料能够在长波(如红外)辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但是，可由红外，红绿光等长波辐射激发出蓝光发射的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可由长波辐射激发出蓝光的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料、制备方法及使用该钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的有机发光二极管。一种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其化学式为其化学式为Y202S:XHo3+，其中O. 01 ≤X ≤ O. 05。在优选的实施例中，X为O. 03。—种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤步骤一、称取Y203、Ho203、S和Na2CO3粉体，其中Υ203、Ηο203、S、Na2CO3的摩尔比为？；步骤二、将步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体；步骤三、在还原性气氛下，将所述前驱体在800°C 1000°C下灼烧O. 5小时 5小时，之后冷却到100°C 500°C，再保温O. 5小时 3小时得到粉体产物；步骤四、除去所述粉体产物中的Na2CO3，得到钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料。在优选的实施例中，Y203、Ho203、S、Na2C03的摩尔比为 O. 97 O. 03 I 1.5。在优选的实施例中，步骤二中将粉体在刚玉钵体中研磨20分钟 60分钟。在优选的实施例中，步骤三种将所述前驱体在800°C下灼烧3小时。在优选的实施例中，步骤三中将所述前驱体在在800°C下灼烧3小时，之后冷却到250°C，再保温2小时得到所述粉体产物。在优选的实施例中，所述还原性气氛为IS氢混合气体，其中氢气的摩尔含量为5%。在优选的实施例中，步骤四中，将步骤三得到的粉体产物放入无机酸中浸泡后用去离子水冲洗至中性后烘干得到所述钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料。—种有机发光二极管，该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、阳极及透明封装层，所述透明封装层中掺杂有钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，该钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的化学式为Y2O2S:χΗο3+，其中O. 01 < X < O. 05上述钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法较为简单，成本较低，同时反应过程中无三废产生，较为环保；制备的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的光致发光光谱中，钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的激发波长为640nm，在490nm波长区由Ho3+离子5F3 — 5I8的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。附图说明图1为一实施方式的有机发光二极管的结构不意图。图2为实施例1制备的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的光致发光谱图。图3为一实施方式制备的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的XRD谱图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料及其制备方法进一步阐明。一实施方式的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其化学式为Y202S:XHo3+，其中O. 01 彡 X 彡 O. 05。优选的，X为 O. 03。该钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的光致发光光谱中，钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的激发波长为640nm，当材料受到长波长(如640nm)的辐射的时候，Ho3+离子吸收能量，激发到5F3激发态，然后向5I8能态跃迁，就发出490nm的蓝光，可以作为蓝光发光材料。上述钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤 步骤SI1、称取 Y2O3、Ho2O3、单指硫⑶和 Na2CO3 粉体，其中 Υ203、Ηο203、S、Na2CO3 的摩尔比为(O. 95 O. 99) (O. 01 O. 05) :1 :1. 5。该步骤中，Y203、Ho203、S、Na2C03的摩尔比为 O. 97 O. 03 I 1.5。步骤S13、将步骤Sll中称取的粉体混合均匀得到前驱体。该步骤中，将粉体在刚玉钵体中研磨20分钟 60分钟得到混合均匀的前驱体，优选的研磨40分钟。步骤S15、在还原性气氛下，将前驱体在800°C 1000°C下灼烧O. 5小时 5小时，之后冷却到100°C 500°C，再保温O. 5小时 3小时得到粉体产物。优选的，前驱体在800°C下灼烧3小时。优选的，在800°C 1000°C下灼烧O. 5小时 5小时后冷却到250°C，再保温2小时。优选的，前驱体放入马弗炉在800°C 1000°C下灼烧O. 5小时 5小时，之后冷却到100°C 500°C，再保温O. 5小时 3小时后随炉冷却到室温得到粉体产物。优选的，还原性气氛为IS氢混合气体，其中氢气的摩尔含量为5%。步骤S17、除去所述粉体产物中的Na2CO3,得到钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料。优选的，得到的粉体产物放入无机酸中浸泡后用去离子水冲洗至中性后过滤烘干得到钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料。无机酸可以为硫酸、盐酸或硝酸，本实施方式中，无机酸为稀盐酸。上述钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法较为简单，成本较低，同时反应过程中无三废产生，较为环保；制备的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的光致发光光谱中，钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的激发波长为640nm，在490nm波长区由Ho3+离子5F3 — 5I8的跃迁辐射形成发光峰，可以作为蓝光发光材料。请参阅图1，一实施方式的有机发光二极管100，该有机发光二极管100包括依次层叠的基板1、阴极2、有机发光层3、透明阳极4以及透明封装层5。透明封装层5中分散有钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料6，钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的化学式为Y2O2S :xHo3+，其中 O. 01 彡 X 彡 O. 05。有机发光二极管100的透明封装层5中分散有钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料6，钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料在490nm波长区由Ho3+离子5F3 — 5I8的跃迁辐射形成发光峰，由红绿光激发可以发射蓝光，蓝光与红绿光混合后形成发白光的有机发光二极管。下面为具体实施例。实施例1选用纯度为99. 99%的粉体，Y2O3, Ho2O3,单质S和Na2CO3助熔剂粉体，其质量分别为2. 318g，0. 189g，1. 074g，0. 836g。在刚玉研钵中研磨40分钟使其均匀混合，然后在含氢气5%的氩氢混合气作为保护气800°C下灼烧3小时。然后冷却到250°C保温2小时，再自然冷却到室温取出粉体，放 入热稀盐酸中浸泡I小时，然后用去离子水冲洗至中性，过虑烘干，得到最终的荧光粉。请参阅图2，图2所示为得到的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的光致发光光谱图。由图2可以看出，本实施例得到的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的激发波长为640nm,在490nm波长区由Ho3+离子5F3 — 5I8的跃迁福射形成发光峰,该钦掺杂硫氧化乾上转换发光材料可作为蓝光发光材料。请参阅图3，图3中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钬掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其特征在于：其化学式为Y2O2S:xHo3+，其中0.01≤x≤0.05。

【技术特征摘要】
1.一种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其特征在于其化学式为Y202S:XHo3+，其中O.01 ≤ X ≤ O. 05。2.根据权利要求1所述的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料，其特征在于，X为O.03。3.一种钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤步骤一、称取Y2O3、Ho2O3、S和Na2CO3粉体，其中Y2O3、Ho2O3、S、Na2CO3的摩尔比为(O. 95 O.99) (O. 01 O. 05) I 1. 5 ；步骤二、将步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体；步骤三、在还原性气氛下，将所述前驱体在800°C 1000°C下灼烧O. 5小时 5小时，之后冷却到100°C 500°C，再保温O. 5小时 3小时得到粉体产物；步骤四、除去所述粉体产物中的Na2CO3,得到钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料。4.根据权利要求3所述的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，Y203、Ho203、S、Na2C03 的摩尔比 O. 97 : O. 03 :1 :1. 5。5.根据权利要求3所述的钦掺杂硫氧化钇上转换发光材料的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：