改良的硅片收集装置制造方法及图纸

技术编号:8587119 阅读:151 留言:0更新日期:2013-04-18 00:40
本发明专利技术涉及一种新型的硅片收集装置,包括收集槽,其中,所述收集槽两壁中各设有一空腔,所述空腔外壁上设有出风装置,内壁均匀设有若干纵向通孔,且所述的出风装置内置一定时控制阀。两壁的出风装置通过设定定时控制阀分时段分别出风,可以使硅片较为均匀的落在收集槽中,避免了空间浪费,当硅片落下来时,可通过出风装置喷出气体,从各纵向通孔中均匀吹出,对硅片进行缓冲,使硅片可缓慢下降,又不会对硅片造成损坏,从而保证了硅片的质量,节省了人工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种收集装置,特别涉及一种硅片的收集装置,属于硅片加工设备的

技术介绍
硅片加工过程中,通过线切割将硅棒加工成硅片。切割后的硅片通过收集装置收集。现有技术中的收集装置包括收集槽,收集过程中,硅片下落时会相互挤压重叠,拾取时容易使娃片表面受:损,从而影响娃片加工质量。近来出现了一种收集装置,包括收集槽,其中收集槽上设有出风装置,当硅片落下来时可以吹出气体,对硅片进行缓冲。但是其出风装置的出风口端头位于收集装置内,也会对下落中的娃片造成损坏。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对以上弊端提供一种新型的硅片收集装置。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是一种改良的硅片收集装置,包括收集槽,其中,所述收集槽两壁中各设有一空腔,所述空腔外壁上设有出风装置,内壁均匀设有若干纵向通孔。上述一种改良的硅片收集装置,其中,所述的出风装置内置一定时控制阀。本专利技术的有益效果为当硅片落下来时,可通过出风装置喷出气体,从各纵向通孔中均匀吹出,对硅片进行缓冲,使硅片可缓慢下降,又不会对硅片造成损坏,从而保证了硅片的质量,节省了人工。两臂的出风装置通过设定定时控制阀分时段分别出风,可以使硅片较为均匀的落在收集槽中,避免了空间浪费,节省了人工。附图说明图1为本专利技术的结构示意图具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作进一步说明。如图所示,本专利技术包括收集槽1,其中,所述收集槽I两壁中各设有一空腔3,所述空腔3外壁上设有出风装置41、42,内壁均匀设有若干纵向通孔2。当硅片落下来时,可通过出风装置41、42喷出气体,从各纵向通孔2中均匀吹出,对硅片进行缓冲,使硅片可缓慢下降,又不会对硅片造成损坏,从而保证了硅片的质量,节省了人工。同时,出风装置41、42内置一定时控制阀51、52,通过设定定时控制阀51、52实现分时段分别出风,可以使硅片较为均匀的落在收集槽中,避免了空间浪费,节省了人工。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改良的硅片收集装置,包括收集槽,其特征为,所述收集槽两壁中各设有一空腔,所述空腔外壁上设有出风装置,内壁均匀设有若干纵向通孔。

【技术特征摘要】
1.一种改良的硅片收集装置,包括收集槽,其特征为,所述收集槽两壁中各设有一空腔,所述空腔外壁上设有出风装置,内...

【专利技术属性】
技术研发人员:聂金根
申请(专利权)人:镇江市港南电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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